Spannungsausfall mit FET simulieren
Hallo,
ich will einen kurzen Spannungsausfall (variabel von 1us bis 40us) der Versorgungsspannung (variabel von +5V bis +35V) simulieren.
Da ein Relais zu langsam ist dachte ich an eine MOSFET, da dieser genug Strom und Spannung aushalten sollte.
Damit der FET dauerhaft durchsteuert brauche ich eine Gate-Source Spannung von ca. 3V, ich habe dies über einen Spannungsteiler eingestellt.
Das Problem ist damit die parsitären Kapaziäten schnell abgebaut werden und mein Signal schnell, rechteckförmig schaltet brauche ich relativ hohe Ströme.
Gibt es eine Möglichkeit schnell ab und an zu schalten, wenn möglich nahezu leistungslos?, eben wie beim Relais aber im MHz-Bereich.
Danke,
Newbie
Re: Spannungsausfall mit FET simulieren
Zitat:
Zitat von dirkdiggler
Damit der FET dauerhaft durchsteuert brauche ich eine Gate-Source Spannung von ca. 3V, ich habe dies über einen Spannungsteiler eingestellt.
die meisten FETS sind bei 3V noch nicht voll durchgeschaltet
Zitat:
Zitat von dirkdiggler
Das Problem ist damit die parsitären Kapaziäten schnell abgebaut werden und mein Signal schnell, rechteckförmig schaltet brauche ich relativ hohe Ströme.
ca. i=Total Gate Charge / t-schalt
”The advantage of using gate charge is that the designer can easily calculate the amount of current required from the drive circuit to switch the device on in a desired length of time because Q = CV and I = C dv/dt, the Q = Time x current. For example, a device with a gate charge of 20nC can be turned on in 20msec if 1ma is supplied to the gate or it can turn on in 20nsec if the gate current is increased to 1A. These simple calculations would not have been possible with input capacitance values.”
aus (http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf)
du wirst aber minimal die im Datenblatt angegebene Fall-Time erreichen können
Beschäftige dich mit den Grundlagen oder gib hier ein paar Daten wie Strom u.s.w. an damit dir jemand was konkretes empfehlen kann
