kompl. Kollektorstufe zum FET ansteuern

Hallo,

will einen Spannungsausfall der Versorgungsspannung = Input simulieren.

Mit der 1. Kollektorstufe (Q2, Q3) + 1. FET Q1 und einer Last von 100 Ohm nach GND geht dass auch einwandfrei.

Der Nachteil ist das dann permanent eine Verlustleistung aufgrund des Stromflusses auftritt.


Dachte daher daran einfach eine 2. Treiber-Stufe (Q4, Q5) dahinter zuhängen, die mit dem inversen Signal des 1. FETs den 2. Fet Q6 angesteuert und den Punkt Uout auf GND zieht.

Leider funktiniert dass nicht so wie es theor. müßte.

sorry falsche version, hier die richtige

Da stimmt so Einiges nicht.
1. Die verwendeten ICs kannst Du nur bis 15V einsetzen, die Angabe 5-35V solltest Du insofern nochmal sehr genau überdenken.
2. Die Gate-Source-Spannungsfestigkeit der MOSFETs wäre ebenfalls stark überstrapaziert
3. Bei korrekter Auslegung sollte der erste MOSFET den Strom zur Last bereits vollständig unterbrechen, der zweite MOSFET würde nur Sinn machen, um eventuelle Kapazitäten am Eingang der Last schnell zu entladen. In dem Fall solltest Du das Timing aber anpassen, damit gleichzeitiges Leiten beider MOSFETs ausgeschlossen ist. Für den "EntladeMOSFET" würde ich auch einen N-Kanal vorschlagen, dann natürlich mit invertierter Ansteuerung.

da hast du schon recht deshalb habe ich mir ne Hilfsspannung gerneriert (GND2), die immer -15V negativer ist als die Input-Spannung

Um nur eine Unterbrechung zu realisieren brauchts weder R1 noch den 2. FET (der in der Lowside besser ein n-Fet wäre)da ja der angeschlossene Verbraucher die Verbindung nach GND hat, auch die Diode ist überflüssig da der FET bereits eine integriert hat.
Di Emitterwiderstände der Treiber sind ein bissel klein imerhin könnte ja in ungünstigsten Fall mehrere A durch den dann stark überlasteten BCxxx fliessen. So viel brauchts nun whrlich nicht die Gatekapazität in schneller Zeit umzuladen, 100mA reichen in diesen Falle auch.
Übrigens hat der IRF9520 einen Rdson von 0,6 Ohm so das darüber recht viel Verlustleistung abfallen kann. besser da einen FER mit weniger On Widerstand wählen. Übrigens haben n-Fet einen geringeren On Widerstand als der komplememtäre p-Fet.

@DerWarze

bei der Dimensionierung der Emitterwiderstände habe ich noch meine Probleme

Was ist ein FER?

Hallo der FER ist ein hochtechnologisches Prototypen Teil das durch einen Tipfehler entstand ;-) Gemeint ist natütlich ein FET.

Bei der Dimensionierung der Gatetreiber macht es viel Sinn mal die etablierten Schaltungen zu studieren und dabei deren Funktion zu ergründen.
Die Berechnung von Transistorstufen steht in jedem Elektroniklehrbuch. Zur Abschätzung hilft aber auch die Formel des alten Ohm schon weiter.

Da hier ja keine allzuschnellen Schaltvorgänge stattfinden reichen sicher 1k aus.

Ich würde aber zur Ansteuerung der Highside bei hohen Spannungen einen n-FET mit einem Fotovoltaik Optokoppler APV1121S einsetzen.

In Deinem Fall könnte es aber auch einn ProFET aus der BTSxxx Serie(schon oft hier beschrieben) machen. da sparst Du die ganze Treiberei und hast noch zusätzliche Möglichkeiten.