Fet Bs108

Hallo,

ich versuche mich gerade mit Feldeffekttransistoren, komme allerdings noch nicht ganz klar.

Ich möchte mit zwei Ausgängen meines Atmega8 je ein Solid State Relais schalten. Dazu verwende ich 2 Bs108 Fets als Treiber. Ich dachte das wäre um einiges unkomplizierter als gewöhnliche Transistoren zu verwenden, weil ich mir dann den Basisvorwiderstand und die Rechnerei sparen kann.

Die beiden Gates habe ich dazu mit den Ausgängen des Mega8 verbunden, Source jeweils auf Masse gelegt. Jetzt war ich der Meinung, dass ich bei +5V zwischen Gate und Source ebenso diese 5V zwischen Source und Drain messen könnte.
Dem war jedoch nicht so.

Habe ich eine komplett falsche Vorstellung von der Funktionsweise?

Schonmal Danke

Gruss

Florian.

Wo hast du denn Drain hingelegt? Die 5V vom Gate kannst du dort sicher nicht messen.
Im Prinzip ist der FET so zu handeln wie ein Transistor, es fließt nur kein konstanter Basisstrom und wenn die Schaltfrequenz höher wird ist die Gatekapazität zu berücksichtigen.
Vielleicht zeigst du mal die Schaltung her, dann kann man besser auf dein Problem eingehen.
Hubert

Hallo,
hast Du mal im Datenblatt nachgeschaut, ab welcher Gate-Spannung die Source-Drain-Strecke niederohmig wird / leitet ?

Edit: Ich lese da was von +/- 20V !!!

Genau das hat mich auch stutzig gemacht, allerdings nennt sich das Teil Logic Level Fet.

Zitat aus dem Datenblatt:

Zitat:

---

This TMOS FET is designed for high voltage, high speed
switching applications such as line drivers, relay drivers, CMOS
logic, microprocessor or TTL to high voltage interface and high
voltage display drivers.
• Low Drive Requirement, VGS = 3.0 V max
• Inherent Current Sharing Capability Permits Easy Paralleling of
many Devices

---

Du hast Recht, ich hatte vorhin in der Eile unter "LIMITING VALUES" nachgesehen. Der BS108 hat aber tatsächlich eine sehr niedrige Gate-Spannung: "VGS(th) gate-source threshold voltage 1.8 V"
Wenn am Gate +5V anliegen, kannst Du nicht zwischen Drain und Source 5V messen ! Der FET wird ab 1,8V am Gate leitend, also niederohmig: "RDS(on) drain-source on-resistance 8 Ohm".
Bei Schaltfrequenzen ab wenigen Kilo-Hertz dürfte der Strom des µC-Ausgangs nicht mehr ausreichen, um den FET schnell umzuschalten; der FET wird dann warm.

Wenn du ein SolidState-Relais mit einem Steuerstrom von bis zu 15mA hast könntest du es auch direkt ansteuern. Wenn du aber den FET nimmst dann den Vorwiderstand nicht vergessen.
Hubert

Ich kenne jetzt nicht die Gateladung für den Kanal des BS108, die Gatekapazität ist in den Datenblättern mit 80-150pF angegeben und der Kanal ist auch recht hochohmig, hat also nicht sehr viel Ladung.
5V Umladung erfordern für die Kapazität 400pAs-750pAs.
Mit 1mA geht das dann in 400ns-750ns.
Einen kleinen Faktor für die Gateladung dazu, auch mit Widerstand, - aber ganz dramatisch wird es nicht werden.
Erfahrungsgemäß sind die kleinen Fets ganz praktisch und unproblematisch.
Manfred

Hallo
man sollte die Gates aber nicht im Freien hängen lassen, also z.B 10k von gate nach gnd legen.
Sonst kann es passieren, daß der FET vor der Initialisierung des µC bereits unkontrolliert schaltet.
Mit freundlichen Grüßen
Benno