Welchen klassischen MOSFET als Diode?

Moin.

Ein 1F Gold Cap (Puffer für einen GPS-Empfänger) soll über eine Diode mit möglichst geringem Spannungsabfall geladen werden.
Versorungsspannung ist 3,3V. Hier nun eine klassische 1N4148 reinwerfen (Uf = 0,7V) reduziert die Spannung am C auf 2,6V. Schon etwas wenig.
Dioden imt geringerer Uf sind scheinbar extrem selten geworden. Ge-/Schottkys sind dazu angeblich geeignet, allerdings steigt Uf auch mit steigendem Strom. Der Ladestrom des Gold Caps ist zwar nicht gerade hoch, aber vermutlich doch hoch genug, um bei den Ge-/Schottkys wieder in den Bereich zu hoher Uf zu kommen.

Eine Alternative soll angeblich sein, einen MOSFET zu verwenden; wodurch man bei Uf=~0,2V oder noch weniger landen soll.
#1) Welcher MOSFET wäre hier geeignet? Ich hab die Teile noch nie verwendet, dementsprechend ist die Erfahrung hier auch bei 0.
Gibt es bei den MOSFETs Klassiker wie z.B. bei den Transistoren die BC847 / 857? SOT-23 Gehäuse wäre ideal.

#2) Wie genau müsste der MOSFET dann beschaltet werden?

mfG

Mit Schottky-dioden kommt man schon auch auf einen Spannungsabfall von rund 0,3 V, wenn man Typen für wenig Spannung und etwas mehr Strom nimmt, hier z.B. 1N5817 oder ggf. was kleineres wie BAT47. Die Schottkydioden haben aber einen relativ hohen Leckstrom, der schon stören kann.

Der klassische kleine MOSFET ist der BS170 bzw. 2N7000, oder als SMD (SOT23) 2N7002 bzw. MMBF170. Wenn die zur Verfügung stehende Spannung klein ist, kann es aber sein dass man einen Typ mit kleinerer Thresholdspannung braucht, wie z.B. BSS138.

Die Schaltung ist so, dass bei einem N MOSFET Source die Anode ist, Drain die Kathode, und Gate über einen OP gesteuert wird, der die Spannung über die Diode prüft und versucht auf etwa 10-100 mV zu bringen. Ein normaler N-MOSFET müsste in die negative Leitung - für die positive Leitung bräuchte man einen P-Kanal MOSFET oder einen N-MOSFET mit herausgeführtem Substrat.