P/N-Übergang mit Mikroskop sichtbar machen

Forscher des NIST (National Institute of Standards and Technology, USA) haben ein Messverfahren entwickelt, wodurch die Ladungsverteilung in Halbleitern sichtbar wird. Diese Methode von Messungen im Nanobereich ist von großer Relevanz für Halbleiterhersteller, da man damit z.B. auch die Ladungsverteilung des P/N-Übergangs von Transistoren in Speicher-Chips untersuchen kann. Das neue NSMM (Near-field Scanning Microwave Microscope) besteht aus einem Rastersondenmikroskop, das am Messpunkt ein...

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News Quelle: Elektor
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