1x Brückengleichrichter und 2x IGBT testen

Hallo zusammen,

ich habe hier drei Sorgenkinder (1x Brückengleichrichter, 2x IGBT).
Beim Brückengleichrichter bin ich mir recht sicher, bei den IGBTs habe ich Probleme.
Bevor ich jedoch alle drei Bauteile auf gut Glück neu bestelle, möchte ich sie überprüfen. Nicht zuletzt um auch etwas zu lernen :)

Gerne wollte ich Euch daher fragen ob ich meine Ergebnisse richtig interpretiere.
Alle Bauteile habe ich im ausgebauten Zustand geprüft.

1. Brückengleichrichter D20XB60

Datenblatt: http://www.eicsemi.com/DataSheet/D20XB20_60.PDF

Aus dem Service Manual:
Anhang 33392


Ich erhalte mit meinem Uni-T UT61E im Modus "Auto"

	Forward	Reverse
+ -	15,3 MOhm	219,1 MOhm
~ ~	173 MOhm	203 MOhm

Die 15,3 MOhm sind alles andere als "low" und ich würde daraus schlussfolgern, dass der Brückengleichrichter das Zeitliche gesegnet hat.

Im Netz habe ich ein Video gefunden, in dem der Brückengleichrichter im Dioden-Test-Modus geprüft wird.
Der Herr erklärt, dass Werte zwischen 0,4V bis 0,7V "ok" sind.

+	~	~	-	Bemerkung
OL	OL	OL		Multimeter Schwarz (COM) an -
1,00V	0,53V	0,54V		Multimeter + an -

Da ich die 1,00V gemessen habe, schlussfolgere ich auch hier, dass das Bauteil kaputt ist.

Fazit: Ich muss Ersatz bestellen.


2. IGBT GT60N321

Datenblatt: https://toshiba.semicon-storage.com/...dName=GT60N321

Anhang 33395


Aus dem Service Manual:

Anhang 33394

Ich erhalte im Modus "Auto"

	Forward	Reverse	Bemerkung
E-C	28,5 MOhm	2,43 MOhm	Forward: DMM (+) an E, DMM (-) an C
E-G	OL	OL	Forward: DMM (+) an E, DMM (-) an G
C-G	OL	OL	Forward: DMM (+) an G, DMM (-) an C

Hier drauß schließe ich, dass das Bauteil ebenfalls defekt ist.

Auf Youtube gibt es nun ein Video wie man IGBTs testet:
https://www.youtube.com/watch?v=AfV7gYChILc

Wenn ich nach dem Schema wie im Video vorgehe erhalte ich:

Schritt 1	Schritt 2	Schritt 3
DMM (-) an E DMM (+) an C => OL	DMM (-) an E DMM (+) an G und wieder zurück mit DMM (+) an C => 2,14V	G und E kurzschließen => OL

Daraus schließe ich jedoch, dass der IGBT nicht defekt ist. :confused:



Dann habe ich noch folgendes getestet:

Diode-Modus	Diode-Modus	Ohm (Auto)
Schritt 1	Schritt 2	Schritt 3
DMM (-) an E DMM (+) an C => OL	DMM (-) an E DMM (+) an G und wieder zurück mit DMM (+) an C => 2,14V	DMM (-) an E DMM (+) an C => 115 kOhm

Die 115 kOhm sind zwar deutlich weniger als vorher, aber auch dass ist ja eigentlich weit von "low" entfernt.


3. IGBT GT30J322 3A (Toshiba)

Datenblatt: https://www.promelec.ru/pdf/GT30J322.pdf

Anhang 33396

Aus dem Service Manual:

Anhang 33394

DMM Modus "Auto"

	Forward	Reverse	Bemerkung
E-C	59,2 MOhm	3,8 MOhm	Forward: DMM (+) an E, DMM (-) an C
E-G	OL	OL	Forward: DMM (+) an E, DMM (-) an G
C-G	OL	OL	Forward: DMM (+) an G, DMM (-) an C

Wegen den 59,2 MOhm würde ich schlussfolgern, dass dieses Bauteil ebenfalls defekt ist.


Es wäre klasse, wenn jemand von Euch etwas Licht ins Dunkle bringen könnte.
Ich entschuldige mich jetzt schon für den langen Beitrag. Ich wollte aber nach Möglichkeit mein Vorgehen genau schildern um Fehler meinerseits leichter auffindbar zu machen.
Während ich mir noch beim Brückengleichrichter sicher bin, dass dieser hinüber ist, bin ich bei den zwei IGBT unsicher.

Besten Dank Euch :)

Bei Dioden und Transistoren solltest du nicht den Widerstand messen sondern mit der Diodenfunktion. Dioden haben eine Spannung von unter 1V (A » K) oder OL (K » A).
Der Gleichrichter ist das leichteste der Bauteile. Suche nach dem Schaltbild des Gleichrichters, es wird leichter sein es zu Verstehen. Du hast 4 einzelne Dioden, die du prüfen musst (in 2 Richtungen).

Die IGBTs sind etwas komplizierter.
Zuerst würde ich das Gate prüfen (hier Widerstand). G gegen C und E messen, muss im Megaohmbereich liegen.
Anschließend mit Diodenfunktion weiter.
G und E verbinden (damit die Gatekapazität sicher entladen ist). Jetzt misst du einmal C » E (sollte OL sein) und einmal E » C (sollte unter 1V sein).
Jetzt legst du zwischen G und E eine Spannung an (zwischen Gate Treshold Voltage und max. Gate Voltage).
Jetzt solltest du in beide Richtungen unter 1V messen. Du kannst auch mit einer kleinen Last (Led, Lampe, Motor,...) messen (zwischen G und E einen Widerstand von z.b. 10k). Zum Einschalten legst du eine Spannung am Gate an.

MfG Hannes

Wie Hannes schrieb, bei Gleichrichtern immer die Diodenmessung benutzen.
Im Gleichrichter sind ja 4 Dioden drin, die kannst Du alle einzeln testen.
Deine 1 Volt entstehen wenn Du die 2 Dioden in Reihe misst.
Somit sehen die Messwerte vermutlich sogar richtig aus bei Dir.
Ich hab das mal skizziert:

Anhang 33402


IGBT hab ich leider keine Ahnung, hat Hannes ja schon erklärt.

Guten Abend,

zunächst Danke Euch für die Mühe.
Insbesondere auch an Siro für die Zeichnung.

Ich bin heute leider nicht mehr zum Prüfen gekommen. Werde es aber morgen nachholen und dann berichten.

Viele Grüße und einen schönen Abend.

Hallo nochmal,

ich entschuldige mich für die späte Rückmeldung.

Den Gleichrichter habe ich nun geprüft und scheint in Ordnung zu sein.

Zu den IGBTs

	GT60N32	GT30J322
Widerstand	G » C: OL G » E: OL	G » C: OL G » E: OL
Diodenfunktion	C » E: 0,48V E » C: OL	C » E: 0,44V E » C: OL
5V mit Labornetzteil an G und E, DMM Diodenfunktion	C » E: 0,48V E » C: 0,49V	C » E: 0,46V E » C: 0,50V

Was mich jetzt noch verunsichert ist

Zitat:

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Zuerst würde ich das Gate prüfen (hier Widerstand). G gegen C und E messen, muss im Megaohmbereich liegen.

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In allen 4 Fällen komme ich auf OL. Damit ist der Widerstand ja indirekt auch sehr Hoch.

Demnach müssten die IGBTs beide funktionieren, oder übersehe ich etwas...

Viele Grüße und danke im Voraus

Beim Widerstand gegen G gilt, je größer desto besser. Optimal ist also OL. Die IGBT scheinen ok zu sein. Das einzigste, was noch sein kann (ist aber schwer zu testen) wäre ein thermisches Problem. Wenn also ein Fehler erst bei einer erhöhten Bauteil- bzw Umgebungstemperatur auftritt. Das hatte ich schon öfter bei Thyristoren.

MfG Hannes