Nein, im Gegenteil...die FETs die aus sein sollen bleiben zu lange an wenn die die an sein sollen schon an sind -> Kurzschluss -> Rauch -> falsche Dotierung ;-)Zitat:
Zitat von m4444x
Du musst die Gatekapazität entladen, und das möglichst schnell weil dabei hohe Verlustleistungen auftreten können...
Entladen kann man z.B. mit einem entsprechenden Widerstand vom Gate nach GND...
An den FETs fällt immer dann am wenigsten Leistung ab wenn sie voll durchgeschaltet sind, bzw. aus sind. Dazwischen fällt ne Menge Leistung ab, deswegen so schnell wie möglich umladen...
tr und tf gilt aber nur im Idealfall, also in dem Fall dass sich die Gatekapazität optimal entladen kann. Bei dir kann sie das (fast) gar nicht. Deswegen bleibt die Ladung größtenteils im Gate. Somit bleibt das Feld vorhanden und somit auch der Effekt der dem FET seinen Namen gibt.Zitat:
Zitat von m4444x
Deswegen ist tr und tf in deiner Schaltung um einige 10er Potenzen größer würd ich mal tippen.
Tip: die Gatekapazität ist meistens in As angegeben. Also A pro s.
Daraus kannst du leicht den erforderlichen Widerstand berechnen.
I = U/R, t = I * t_f -> t = (U/R)*t_f
o. nach R aufgelöst -> R = (U*t)/C
Das mit dem einzeln ansteuern brauchst du nicht. Sorg einfach dafür dass sich die Gatekapazität möglichst schnell abbaut wenn du den Port zum Gate abschaltest.
Der Sinn von R1 z.B. erschliesst sich mir auch nicht ganz, den würde ich direkt nach GND und dafür das Gate direkt an die Ansteuerung.
Das Offset der OPs muss natürlich auch auf 0 eingestellt sein...
Gruß, Sonic