@Elmar69/Melleonair
Nur mal so ne Frage nebenbei.
Wie kommen wir jetzt eigentlich auf "PWM" ?
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@Elmar69/Melleonair
Nur mal so ne Frage nebenbei.
Wie kommen wir jetzt eigentlich auf "PWM" ?
Der Schaltplan im Wiki sieht das vor, dort wird hierhin verwiesen.Zitat:
Zitat von Ratber
Ist doch egal
Schaltung ist Mist ..
also ziehen wir jetzt über PWM her :-)
Zitat:
Zitat von elmar69
Ach so.
Ja,das ist dann eine Änderung seit August von der ich nichts weiß.
Wenn man das Topic hier liest dann wird man feststellen daß das Thema hier eine einfache Polwendung war.
Irgendwie finde ich es nicht gerade Glücklich vom Wiki auf ein Topic zu verweisen das nicht ganz stimmig dazu ist.
Ok,dann hat sich das auch erledigt.
Warum ?Zitat:
Zitat von molleonair
Auch wenn ich mir jetzt den geänderten Wikieintrag nicht angesehen habe so Funktioniert das auch per PWM.
Natürlich sollte man entsprechendes Wissen dazu haben.
Das ist wie Kunstfliegen.
Mit nem einfachen Flugschein sollte man da etwas vorsichtig sein :lol:
... Zur H-Brücken-Schaltung aus dem Wiki:
Das Hauptproblem an dieser Schaltung ist wie hier schon gesagt die Erwärmung des MOS-FETs. Ich verwende schon länger genau die selbe Schaltung jedoch mit dem IRF7309 (SO8-Gehäuse, Kombination aus N und P MOS-FET) und habe kein solches Problem. - Habe gerade nochmal ins Datenblatt gesehen und festgestellt das hier zwar auch eine überschneidung vorliegt jedoch diese sehr sehr kurz ist (im ns Bereich) - Habe leider nicht die passende Messtechnik um dieses zu Kontrollieren (bzw. die Software um dieses zu Simulieren).
lG NoPe
Je schneller der Schalter desto kleiner das Problem. Deine FETs sind um eine Größenordnung schneller als der BUZ11.Zitat:
Zitat von NoPe
Und mit steigender Ub wächst das Problem dann auch wieder, wenn die Ansteuerung nicht in gleichem Maße schneller wird. Kurzum eine untaugliche Schaltung.
BTW, wo gibt das Datenblatt eigentlich die Überschneidung als Zeit her? Wo sie doch im Wesentlichen von der Anstiegs- bzw Abfallzeit der Gatespannung und deren Synchronizität abgängt...
Für den Querstrom gibt es zwei Ursachen: Zum einen die Phase, in der die Gatespannung noch nicht den neuen Zielwert erreicht hat (Umladen der Gate-Kapazität) und zum anderen die Schaltverzögerung der Transistoren, in der Wiki-Schaltung ist der IRF deutlich schneller als der BUZ11.Zitat:
Zitat von shaun
Sowohl die Zeit für's Umladen der Gate-Kapazität als auch die Reaktionszeit der Schalter hängen von der Wahl de Transistoren ab.
...die man normalerweise beim Schaltungsdesign schon berücksichtigt damizt sie nicht stören.Zitat:
Für den Querstrom gibt es zwei Ursachen:....