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Hallo allerseits,
ich musste in den letzten zwei Wochen relativ viel an der Uni erledigen daher bin ich erst in den letzten Tagen dazu gekommen mich wieder mit dem Thema zu beschäftigen.
Ich habe mich nun entschlossen nicht die einfache Emitterschaltung zu nehmen sondern einen Gegentaktverstärker nachzuschalten. Bei der Simulation in LtSpice waren mit der Emitterschaltung keine sauberen Frequenzen oberhalb von ~20kHz mehr möglich. Ursächlich dafür dürfte der hohe Basiswiderstand sein der in Verbindung mit der Kapazität des Transistor zu zu hohen Umladezeiten führte.
Bild hier
Die jetzige Schaltung funktioniert (simuliert) verhältnismäßig gut, ich habe am Ausgang im Vergleich zum Eingang eine Einschaltverzögerung von unter 100ns und eine Ausschaltverzögerung von unter 300ns (Könnte ich die noch irgendwie senken?). Der µC-Pin wird mit maximal 10mA (Peak) belastet. Etwas Gedanken mache ich mir noch um Q1 und Q2. Q1 ist mit 100mA spezifiziert, die maximale Belastung in der Simulation ist 90mA. Ich habe gelesen, dass man Transistoren idealerweise mit maximal I_Cmax/2 belasten soll. Da der Peak oberhalb von 50mA jedoch nur 30ns lang ist denke ich, dass es ok ist. Bei Q2 sieht es ähnlich aus, er ist mit 800mA spezifiziert, und wird ebenfalls für etwa 30ns mit mehr als 400mA belastet.
Bild hier
Für die Drossel werde ich 26er Amidon-Ringe und >= 0.5er Kupferlackdraht nehmen, alles andere macht irgendwie keinen Sinn.
Gruß,
Daniel