Schaltung mit Zenerdiode und Transistor als Konstantstromquelle

[HaWe]

Nehmen wir mal an, durch den Emiiterwiderstand fließen 3,9mA Kollektorstrom dann hat der Emitter eine Spannung von 3,9V wie die Basis

das hatten wir schon ganz oben irgendwann mal:

der Strom fließt von 3,9V über B/E nach GND. Und weil der B-Strom nur 32µA beträgt in dieser Kette, können durch den Re (von hier aus) auch nur höchstens 32µA fließen, keine 3,9mA !

Aber anders herum stimmt es:
wenn durch Einflüsse von außen (zB von der Seite des Collektors) die Spannung am Emitter nicht mehr 3,2V ist sondern mehr, dann haben wir kein Spannungsgefälle mehr wie vorher, und der Basisstrom kommt zum Erliegen. Sind es dann (zufällig) 3,9mA, die am Re durchfließen, DANN müssen es zwangsläufig ursächlich 3,9V gewesen sein, die insgesamt am Re angelegt waren. Der Strom ist aber nicht die Ursache für die 3,9V, sondern erst waren (aus irgendwelchen Gründen) die 3,9V da, und dadurch fließen dann 3,9mA durch, vom Kollektor her.

Der Basisstrom ist damit möglicherweise Null.
Einverstanden.
Wobei ich zugebe, ich bin mir nicht ganz sicher, was aus den 3,9V an der Basis wird, ob dann tatsächlich noch 0,7V BE-Spannung im Transistor abfallen.
Wenn das nicht mehr der Fall ist, dann gilt ja auch diese Gleichung
(3,9V-0,7V) / 101k = 32µA KONSTANT !
nicht mehr, und daher befinden wir uns dann außerhalb der Grundbedingung für einen konstanten Basisstrom.
Aber warten wir mal ab...

Wer hat denn die Spannung aber auf 3,9V am Re erhöht, wie kam es dazu?

- - - Aktualisiert - - -

Auf der anderen Seite:
bei Basisstrom Null sperrt ja auch der Transistor, Verstärkung ist auch Null, und dann können auch keine 3,9V am Re vom Kollektor her anliegen und bei 0 mal 200 Verstärkungsfaktor = 0 können auch keine 3,9mA fließen, oder?

[avr_racer]

Wie kommst du immer nur auf diese falsche Gleichung mit den 101Kohm das ist keine simple Reihenschaltung!!!!!!!!!!!!

Der Strom ist aber nicht die Ursache für die 3,9V, sondern erst waren (aus irgendwelchen Gründen) die 3,9V da, und dadurch fließen dann 3,9mA durch, vom Kollektor her.

Nein nicht ??? Ich muss mal so dumm fragen. Was meinst du denn wer an der Diode die Spannung oder auch an einen Widerstand den Spannungsabfall hervorruft???

Wenn das nicht mehr der Fall ist, dann gilt ja auch diese Gleichung
(3,9V-0,7V) / 101k = 32µA KONSTANT !

Deine Frage war ob dir jmd mal die Berechnung für den Basisstrom zeigt, nun wird das getan und zeigt dir wie man es berechnet und du zweifelst immer noch die per Hand gerechneten Ergebnisse an und bleibst auf dieser absolut falschen Gleichung bestehn. Der Hammer ist dann das die Simulation die Berechnung sehr genau untermauert und du bleibst felsenfest bei deiner Vorstellung......
Ich weiß nicht ob du dir meine techn. Zeichnung überhaupt richtig angeschaut hast ??

Wer hat denn die Spannung aber auf 3,9V am Re erhöht, wie kam es dazu?

NA DU!!!!!! mit dein (3,9V-0,7)/101K denn das würde bedeuten das die 3,9V über Re und nach "oben" zu der Betriebspannung abfällt. Wenn ich das Ersatzschaldbild mal Zeichen würde würdest du sehen das es totaler Unsinn ist wie die 3,9V abfallen würden.

Auf der anderen Seite:
bei Basisstrom Null sperrt ja auch der Transistor, Verstärkung ist auch Null, und dann können auch keine 3,9V am Re vom Kollektor her anliegen und bei 0 mal 200 Verstärkungsfaktor = 0 können auch keine 3,9mA fließen, oder?

Das ist korrekt aber das würde nur funktionieren wenn die Regelschleife sehr sehr sehr hart "arbeiten" würde was einen Einfluss der Schaltung im Sinne einer Unterbrechung, auf der Emitterseite über Re zu Gnd entspricht oder aber der Transistor unglaublich heiß geworden wäre.

[HaWe]

wenn es keine simple Reihenschaltung ist, dann rechne mir bitte die Parallel- oder was-auch-immer-Schaltung dazu und zeige vernünftig mit konkreten Zahlenwerten (!!) auf, wie es richtig lauten muss, und zwar in meinem Fall mit 9V und 18V, und wenn du auch ceos' 5k Poti im Grenzbereich betrachten willst, dann auch anschließend für bis zu 5k vor der LED statt 1k.

Ich habe auch keine 3.9V angelegt - von der Basis her liegen "normalerweise" 3,9-0,7 = 3,2V an, die über Re nach GND abfallen.
Nach "oben" kann nichts hochgezogen werden wegen der Diodenwirkung von Emitter und Kollektor.

Die Idee, dass 3,9mA fließen, stammt auch von Klebwax, nicht von mir, ich habe mir das nicht ausgedacht.

Also wenn du (oder Klebwax) irgendwelche hypothetischen Werte annimmst/annehmt, rechne bitte vor, wie du dazu kommst - mit den obigen Werten kann es nicht dazu kommen, da der Transistor vorher oder just in diesem Augenblick sofort gesperrt hätte und durch den Basistrom von Null auch der C/E Strom auf Null begrenzt worden wäre (also auch der Strom durch Re Null statt 3,9mA) !

Und, ach ja, man hat von 3,9V am Emitter ( also am oberen Pin des Re) geredet, nicht von einem Spannungsabfall über Re gegen GND, aber bevor es zum Spannungsabfall von 3,9V über Re kommt , müssen erstmal 3,9V da sein - nur woher sollen die kommen, wenn der Transistor gesperrt ist und kein Basistrom und kein Kollektorstrom fließt?

Das ganze hypothetische Konstrukt kann eben gar nicht stimmen mit 3,9V und 3,9 mA durch den Re hindurch.

Und, avr_racer, du hast immer noch nicht vorgerechnet, wie denn jetzt richtig der Basisstrom in deiner Skizze berechnet werden muss, denn einen hypothetischen oder postulierten Emitterstrom einfach durch 200 zu teilen, um dann auf einen Basisstrom zu kommen, ist rechnerisch und logisch nicht zulässig. Erst kommt ja der Basisstrom, der steuert den Transistor, und darüber (und die Verbraucher im C/E-Stromkreis) ergibt sich dann der Collektor- und der Emitterstrom, nicht umgekehrt.
(wie du siehst, habe ich mir eine Skizze schon genau angesehen, nur: sie stimmt halt nicht mit deinen Berechnungen.)
https://www.roboternetz.de/community...6&d=1472645595

[Unregistriert]

warum einenn 1k Shunt vor der Basis? der fehlt bei mir.
Wo ist deine Zenerdiode? die ist ja ganz entscheidend.

          5,1V              5,1V später 11,82V
          VCC1              VCC2
           +                 +
           |                 |
           o----.indirekt    o-------.indirekt
           |    |Ib messen   |       |Ic messen
          .-.  / \          .-.     / \
     Shunt| | (_/_)         | | R1 (_/_)
     1k   | |  \_/          | | 1k  \_/
          '-'   |M1         '-'      |M2
           |    |Voltmeter   |       |Voltmeter
           o----'            o-------'
           |                 |
           |                 V ->
           |                 - D1
           |                 | LED
           |                 |
           |                 |
          .-.              |/
          | |<-------------|   BC550C
          | |1Megohm       |>
          '-'Trimmpoti       |
           |                 |
           NC               .-.
                            | | R2
                            | | 1k
                            '-'
                             |
                             |
                            ===
                            GND

Hier der Schaltplan zu meinen Messungen. Mit dem Shunt fiel es mir leichter den kleinen Basistrom zu messen.

Mit dem Trimmpoti kann man den Basisstrom einstellen, insbesondere so einstellen, daß bei verändertem VCC2 der gleiche Kollektorstrom fließt wie vor der Änderung.

Es ist hier keine Zenerdiode vorhanden damit man erkennen kann, ob und wie der Basisstrom für einen konstanten Kollektorstrom mit dem Poti geändert werden muß.

Ich weiß auch nicht, wie man nun den Basisstrom für die Originalschaltung mit Z-Diode ausrechnet. Mir ging es erstmal nur darum, daß ich meine, daß für einen konstanten Kollektorstrom bei veränderter Betriebsspannung eine Änderung des Basisstromes stattfinden muß.

Da sich ja einiges im Thread getan hat werde ich versuchen da jetzt mal durch zu kommen. Entschuldigung, wenn sich das jetzt überholt hat.

Hier nochmal die Wiederholung der Meßergebnisse meines betreffenden Beitrages

Einen BC550C Transistor.
An dessen Basis einen 1k shunt und ein 1M Trimmer nach 5,1 V
An den Kollektor eine "normale" LED in Reihe mit einem 1k Widerstand nach 5,1V
(Uf LED: 1,66V bei If 1,5mA, 1,68V bei If 2mA, 1,95V bei 20mA)
An den Emitter einen 1k Widerstand nach GND.
Über dem Basisshunt wird über Spannungsmessung der Basisstrom gemessen.
Über dem 1k Widerstand nach der LED wird der Kollektorstrom gemessen.

Hier habe ich bei 4,4µA Basisstrom einen Kollektorstrom von 1,5mA gemessen

Dann den 1k Widerstand von den 5,1V weggenommen und an eine zweite Spannungsquelle mit 11,82V angeklemmt (GNDs natürlich verbunden) Basis weiterhin über den 1k und Poti an 5,1V

Basisstrom sank auf 3,7µA, Kollektorstrom stieg auf 1,92mA (Stichwort wahrscheinlich Emitterfolger durch den 1k Emitterwiderstand)

-> Nachregeln des Basisstroms über Poti bis der Kollektorstrom wieder 1,5mA erreicht hat -> Basisstrom nun 2,9mA

[avr_racer]

Und, avr_racer, du hast immer noch nicht vorgerechnet, wie denn jetzt richtig der Basistrom in deiner Skizze berechnet werden muss, denn einen hypothetischen oder postulierten Emitterstrom einfach durch 200 zu teilen, um dann auf einen Basistrom zu kommen, ist rechnerisch und logisch nicht zulässig. Erst kommt ja der Basistrom, der steuert den Transistor, und darüber (und die Verbraucher im C/E-Stromkreis) ergibt sich dann der Collektor- und der Emitterstrom, nicht umgekehrt.
(wie du siehst, habe ich mir eine Skizze schon genau angesehen, nur: sie stimmt halt nicht mit deinen Berechnungen.)
https://www.roboternetz.de/community/...6&d=1472645595

Sry mien Jung ick bi ut!!!!! Du siehst den Wald vor lauter Bäumen nicht. Die 3,3mA sind weder hypotetisch noch an den Haaren herbei gezogen. Dachte das die Skizze mit sauber berechneten Werten, die du durch deine Schaltung vorgegeben hast, du es erkennst wie man darauf kommt. Aber es fehlen einfach die einfachsten Grundlagen zu erkennen wie Spannungen Ströme und Öhme zusammenhängen und komm nicht mit der Ausrede dafür muss man studieren. Das sind Aufagaben Ende 1tes Anfang 2tes Lehrjahr (Elektroniker) und absolute Grundlagen. Man stößt dich schon drauf, von allen Seite, wie es sinnvoll wäre als Anfänger anzufangen. Wir hatten solche Hilfe nur Ansatzweise um es zu verstehn, der Rest musste sich aus Büchern, Unterlagen und teilweise das Internet zusammen getragen werden. Ich glaube da würde Peter(too) und andere ältere Leute nur mit dem Kopf schütteln welche Möglichkeiten wir heute haben und selbst an solch einfachen Sachen des Verstehns zu scheitern.

Aber der alllller letzte Versuch dir es zum 10ten mal vorzukauen

Gegeben sind:

BC140-10 = HFE 100 (typ) Seite 2 im DB http://cdn-reichelt.de/documents/dat...240/BC_140.pdf
BasisEmitter = Ube = wird fesgelegt auf 0,6V
LED Rot 8mm = 2.0V bei Vf = 20mA http://cdn-reichelt.de/documents/dat...MMGN%23KIN.pdf
Ie~Ic
20mA ist der Laststrom und über Re sollen 0,5V abfallen
UB = 9V

und anhand dieser 6 Sachen berechne ich dir mal die einfache Stromgegenkopplung ohne Z-Diode da die Berechnung IDENTISCH ist egal ob von vorn angefangen wird zu berechnen oder rückwärts.

Re = URe / Ie
Re = 0,5V / 20mA
Re = 25 Ohm

Uc = UB - Uled - URe
Uc = 9V - 1,8V - 0,5
Uc = 6,7V


Ib = Ic / HFE
Ib = 20mA / 100
Ib = 200µA (0,2mA)


Uq = Ube + Ure
Uq = 0,6V + 0,5V
Uq = 1,1V

Iq = 10 * Ib
Iq = 10 * 200µA
Iq = 2mA

Rq = Uq / Iq
Rq = 1,1V / 2mA
Rq = 550Ohm


Ubq = UB - Uq
Ubq = 9V - 1,1V
Ubq = 7,9V

Ibq = Ib + Iq
Ibq = 2mA + 0,2mA
Ibq = 2,2mA

Rbq = Ubq / Ibq
Rbq = 7,9V / 2,2mA
Rbq = 3591Ohm

mal sehen ob du wieder nur behauptest das ein "hypothetischen oder postulierten Emitterstrom einfach durch 200 zu teilen, um dann auf einen Basisstrom zu kommen, ist rechnerisch und logisch nicht zulässig."

[Klebwax]

Die Idee, dass 3,9mA fließen, stammt auch von Klebwax, nicht von mir, ich habe mir das nicht ausgedacht.

Schon wieder nicht richtig gelesen. Ich hab gesagt: wenn die fließen ist deine Rechnung mit den 1k falsch. Damit wollte ich zeigen, daß deine ganze Widerstandsrechnung mit der Kette 100k + BE-Strecke + 1k komplett falsch ist. Sie berücksichtigt weder den Strom durch die Z-Diode noch den Strom durch die Kollektor-Emitter Strecke des Transistors.

Aber gut, es fließt kein (von mir ausgedachter) Collectorstrom, also auch kein Emitterstrom und der Emitter hat 0V. Das kann aber auch nicht sein, denn jetzt fließt ein kräftiger Strom in die Basis und das 250 fache dieses Stroms durch den Collector. Damit hat aber der Emitter nicht mehr 0V. Jetzt kannst du dir eine Situation dazwischen vorstellen, wo sagen wir mal 3,2mA durch den Collector fließen, und die Basis-Emitterspannung gerade so groß ist, daß 3,2/250 durch die Basis fließen. So ist das System stabil. Sinkt der Collectorstrom ein wenig, sinkt die Emitterspannung, steigt die Basis-Emitterspannung und damit der Basisstrom bis das ganze wieder im Gleichgewicht ist.

MfG Klebwax

[Peter(TOO)]

in welcher Weise hier eine Rückkopplung von der Lastseite auf die Basis-Seite erfolgen soll, ist nicht ersichtlich, denn die Spannung an der Basis bleibt ja mit 3,9V konstant, und der Strom zur Basis ist ebenfalls durch die 100k zur Batterie konstant begrenzt. Keine Rückkoplung, keine Spannungsänderung, nichts in der Art.
Da sich an diesen Konstanten (Spannung und Widerstand) nichts ändert, bleibt auch der Rest, also auch der Basistrom, konstant, nichts ändert sich bei wechselnder Batteriespannung im 9-18V Bereich bei durchgeschaltetem Transistor, und das ist ja genau der Effekt, der letzlich auf die Z-Diode als Konstantspannungsquelle zurückzuführen ist.

wer jetzt also tatsächlich der Meinung ist, dass der Basisstrom nicht konstant ist, möge das bitte doch mal mit Zahlen (!) vorrechnen und dann seine Ergebnisse mit der Simulation hier gemeinsam zum Vergleich einstellen.
Nach dieser Berechnung mit konkreten Zahlen hatte ich ja in der Tat schon seit 7 Forumsseiten gefragt, doch da kam nie eine konkrete Antwort -
- außer die Simulation, und die sagt: 16µA konstant.

Ich bin da wirklich sehr gespannt...

Tja, eine Simulation ist nicht die Realität!

https://e3.physik.uni-dortmund.de/~s...ansistoren.pdf
Abschnitt 6.1.4. lesen.
U_BE ändert sich in Abhängigkeit von U_CE.
Ich schrieb aber auch, dass der Effekt etwa 4 Zehnerpotenzen kleiner ist als deine Berechnung. Wem dies das zu hoch ist, das ist ein Faktor 10^-4.

Die vollen Formeln für einen Transistor sind recht kompliziert, besonders wenn man die Temperatur mit einbezieht.
Da Transistoren Fertigungstoleranzen im Bereich von +/-50% haben, muss eine Schaltung damit zurecht kommen und meistens kann man Terme dadurch vernachlässigen.

Allerdings liegt die Umgebungstemperatur nicht überall bei +25°C. Da funktionieren dann manche Geräte schon bei 30-35°C nicht mehr.
Da BE eine Si-Diodenstrecke ist, ändert sich deren Spannung um etwa -2.3mV/K.
Im Automobil-Bereich ist eine Temperatur-Bereich von -20°C-+80°C üblich, also 100K Differenz. Da ändert sich U_BE um etwa 230mV, was etwa 1/3 von den 0.6-0.7V entspricht. Entsprechend kann dein Basis-Strom nicht über die Temperatur konstant sein und I_C ist es auch nicht.
Hier trennt sich dann schnell der Spreu vom Weizen bei den Entwicklern.

Neben der Diodenspannung, ändern sich vor allem auch die Leckströme und das Rauschen, beides nimmt mit der Temperatur zu.

Hier mal ein Datenblatt vom BC817:
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/BC/BC817.pdf

Figure 1. zeigt, dass sich das H_FE in Abhängigkeit der Temperatur und I_C ändert, wodurch auch der Basisstrom von diesen Parametern abhängt. Die Diagramme zeigen fast immer die Durchschnittlichen Werte an.
Auch bei 25°C und I_C = 3mA verläuft die Linie nicht wirklich horizontal.

MfG Peter(TOO)

- - - Aktualisiert - - -

nein, ich "kann nicht auch von vorne rechnen", ich MUSS von vorne rechnen!

Upps, dann habe ich das mein Leben lang falsch gemacht!
Muss ich jetzt eine Rückrufaktion für alle meine Geräte der letzten über 40 Jahre starten ?

Zuerst legt man IC fest, das ist nun mal der wichtige Parameter.
Aus den Spannungsbereich kann man die Verlustleistung im Transistor berechnen.
Damit kann man dann einen Transistor auswählen.

Die Auswahl der Z-Diode ist dann so eine Sache.
Je höher man die Spannung wählt umso stabiler wird I_C, aber gleichzeitig schränkt man den Bereich ein, in welchem die Schaltung funktioniert.
Jetzt kann man R_E festlegen.
Um Normwerte verwenden zu können, schraubt man je nach dem auch noch an U_Z
Dann kann man I_B abschätzen, dazu nimmt man das kleinste h_FE des ausgewählten Transistors für den ungefähren Arbeitspunkt.

Je grösser man I_Z/I_B wählt, umso kleiner wird er Einfluss der Unterschiedlichen I_B
Nun kann man eine Z-Diode und deren Arbeitspunkt festlegen.
Daraus kann man den Widerstand für die Z-Diode berechnen.

Dann kommt der Aufwändige Teil der Rechnerei.
Man muss die Worst Case Berechnungen für die ganzen Bauteil- und Spannungs-Toleranzen durchführen und dabei auch die Temperatur einbeziehen. Die Schaltung muss dann die geforderten Bedingungen in jedem Fall erfüllen. Wenn nicht muss man Werte ändern und nochmals rechen.
Zudem müssen auch die Verlustleistungen berücksichtigt werden.

Und auch bei deinem Verstärker-Beispiel muss man hinten Anfangen.
Als Parameter hat man die Werte vom Mikrofon (Spannung, Impedanz) und was am Lautsprecher raus kommen soll (Leistung, Impedanz).
Nur damit kann man die nötige Spannungsverstärkung der ganzen Schaltung berechnen.
Aus technischen Gründen kann man nun aber die Verstärkung der Endstufe nicht frei wählen, um z.B. einen kleinen THD zu bekommen, muss die Gegenkopplung möglichst gross sein.
Bei Transistorstufen hat man das Problem, dass die Ausgangskennlinie nicht linear ist, man muss also einen Arbeitspunkt suchen, welcher möglichst linear ist, was aber wiederum die Verstärkung eingrenzt, je nach dem welchen THD man zulässt.
Ein weiteres Problem ist, dass jede Stufe zusätzlich Rauschen erzeugt, welches zum Nutzsignal addiert wird.
Wie jede Entwicklung ist das Ganze am Ende ein Kompromiss.

MfG Peter(TOO)

[Ceos]

Also HaWe jetzt haben mittlerweilen 4 Leute dir gesagt dass du das ganze von der falschen Seite aufziehst, warum akzeptierst du nicht dass andere Recht haben und versuchst mal deren Erläuterungen zu folgen?

Der Witz ist dass neben mir sicher auch andere plötzlich wesentlich besser verestehen wie die Schaltung tickt XD Am Anfang habe ich auch immer erst mit konstanter BAsisspannung gerechnet und habe nur durch Zufall die richtigen Zahlen bekommen, als ich dnn mal den Simulator angeschmissen hatte wurde mir klar das es bei steigendem Strom die Z-Diode ist, die verhindert dass die Basisspannung über 3.9V steigt und damit verhindert dass der Transistor offen bleibt! Der Basistrom ist nur ein Ergebnis dieses Gleichgewichts!

Leider sind meine Mathematischen Künste was Gleichungen geht nicht so ausgeprägt, aber vll. hilft es HaWe wenn jemand mal alle Komponenten in eine große Gleichscung schreibt, damit er einfach mal mit den Variablen rumspielen kann um zu sehen dass der Basisstrom und Spannung nicht zwangsläufig eine Konstante ist

[HaWe]

Vielen Dank für Eure Mitarbeit! Viele Formeln mit Kürzeln untereinander (ohne Erklärung aller Einzelterme zusätzlich mit Worten) oder allgemeine Abhandlungen über die Theorie und Praxis der eigenen Schaltungsentwicklung oder Zitate aus Datenblättern oder Schaltungen, die von meiner abweichen und nicht 100% meiner geposteten Vorgabe entsprechen sind allerdings für mich schwer verständlich und auch nicht unbedingt auf mein gepostetes Anfangs-Problem übertragbar oder anwendbar.
Ich denke aber, ich habe die Schaltung im Groben und Ganzen ausreichend verstanden nach dem Tutorial-Modell, so wie sie auch in der Simulation funktioniert mit 16 bzw. in einem anderen Fall (wegen anderer Transistor-specs ) mit 31 µA konstantem Basisstrom. Und dass die Zenerdiode mit ihren 3,9V Festspannung samt 100k Vorwiderstand die ganz entscheidende Grundlage des konstanten und automatisch begrenzten und begrenzenden Basisstroms ist, hat sich ja auch bestätigt. Daher sind aber alle Erklärungsmodelle ohne Z-Diode ebenfalls leider nicht nutzbar für mich.
Allerdings dass der Transisior den Stromfluss unterbricht, wenn plötzlich eine zu hohe Spannung am Emitter auftreten sollte, kann ich jetzt gut als eine Art der Regelung nachvollziehen. Und es stimmt, ja, je länger man darüber redet und selber erklärt, desto besser versteht man es plötzlich oft auch selber

Also nochmal vielen Dank für Eure Mitarbeit!

[Ceos]

Da meine Formel tief im Topic begraben ist wollte ich sie hier der einfachheit nochmal schreiben

Begrenzugsstrom I(lim) = ( U(ZDiode) - U(B-E) ) / R(E)

da U(B-E) nur geschätzt werden kann weil es teils starken Fertigungsschwankungen unterliegt und auch dem Temperaturdrift kommt es meist sowieso darauf an den Emitterwiederstand als Trimmpotentiometer auszulegen und zu justieren bis man das gewünschte Ergebins bekommt.

HINWEISE FÜR DIE ANWENDUNG DER SCHALTUNG:

Wenn man einen relativen hohen Strom bei niedriger Spannung einstellen will, muss R(E) und somit auch U(Z) relativ klein sein und die Schwankung von U(B-E) fällt noch stärker ins Gewicht.
Außerdem darf der HFE vom Transistor nicht zu klein sein!
Bei steigender Spannung verzerrt sich durch die Kennline der Z-Diode außerdem U(Z) auch ein wenig also alles sehr Temperaturempfindlich!

Und bitte bitte nicht vergessen, die Leistung fällt am Transistor ab! Also immer U*I um auszurchnen weiviel Abwärme Leistung im worst case über den Transistor verheizt wird!!!