H-Brücke - geht das so??

[ranke]

Warum verduften??

Der hat doch einen sehr kleinen RDSon!?

Also ins Datenblatt:

http://www.irf.com/product-info/data...ta/irf7468.pdf

geschaut und gerechnet:

Wenn T1 durchgeschaltet wird, liegt UG=12V-0,7V=11,3V am Gate (Die 0,7 V ist der Spannungsabfall an D5).

Vorausgesetzt, es fliesst ein Strom von 6A durch Deinen Verbraucher (das war Dein Auslegungskriterium).

Damit gehen wir in die Ausgangskennlinie (Fig.1, obiges Datenblatt, Seite 3 links oben) und sehen, dass zu ID=6A etwa VGS=2,4V gehören.

Damit ist die Sourcespannung bei US=UG-2,4V=8,9V.

Am Transistor fällt eine Spannung von UDS= 24V-8,9V= 15,1V ab.

Oder ein RDSon von 15,1V/6A=2,5Ohm. Soviel zum Thema niedriger RDSon.
Das sind runde 90W Verlustleistung am Transistor, das wird er nur für Sekundenbruchteile machen.

Um einen anständigen RDSon zu erreichen, musst Du Ihm schon 30V am Gate geben.

[devil4711]

????? Ich komme da auf etwa 0.012Ohm !!!

[devil4711]

????? Ich komme da auf etwa 0.012Ohm !!!

[ranke]

????? Ich komme da auf etwa 0.012Ohm !!!

Das ist etwa der Wert, den der Hersteller für UGS=10V angibt. das heisst Das Gate hat eine um 10V höhere Spannung als Source. Source hat etwa die selbe Spannung wie Drain (den Spannungsabfall von 6A an 12mOhm vernachlässige ich mal), das bedeutet, das Du eine Gatespannung von 34V brauchst, um die 12mOhm zu bekommen.
Leider macht das Dein Treiber nicht mit, dort ist in den Grenzwerten angegeben, dass VS nicht kleiner als VB -25V sein darf.

[shaun]

@OP: ja es geht so, nur muss Du wie Jakob schon schrieb dafür sorgen, dass sich der Bootstrap-C regelmäßig aufladen kann. Diese Schaltung ist also für ein Puls-/Pausenverhältnis < 1 geeignet, wenn Du versuchst, den oberen MOSFET dauerhaft durchzuschalten, wird er während der Bootstrap-C sich entlädt irgendwann sehr sanft abgeschaltet - zu sanft, da er dann in den linearen Bereich kommt und abraucht, sofern Laststrom fliesst.

@ranke: wenn Du das Blockschaltbild nicht [richtig] interpretieren kannst (wie Du selbst schreibst), dann tu Dir doch wenigstens den Gefallen und lies den allerersten Punkt der Feature-Aufzählung auf der allerersten Seite.
Was steht da? Bootstrap. Und warum stellst Du eben diese vom Hersteller intendierte und von Jakob L. bereits beschriebene Funktion in allen Deinen Postings so vehement in Abrede?
Ein bisschen Überlegen hätte auch geholfen: Du selbst hast doch geschrieben, dass die "obere" Spannung bis 600V betragen darf. Und wie stellst Du Dir das ohne Bootstrapping vor? Soll der obere MOSFET dann für eine Vgs von 600V geeignet sein?!
Natürlich nicht, und natürlich muss der Chip auch gar nicht "wissen", wie hoch die Betriebsspannung ist, es reicht ihm völlig, dass eine um 11-12V gegenüber dem Ausgang der Brücke erhöhte Gatespannung für den Highside-Schalter zur Verfügung steht.

[ranke]

Und warum stellst Du eben diese vom Hersteller intendierte und von Jakob L. bereits beschriebene Funktion in allen Deinen Postings so vehement in Abrede?

Weil ich das - wie auch den Beitrag von Jakob L. - glatt übersehen habe.
Danke, jetzt habe ich auch wieder etwas gelernt!

[shaun]

Hihi, das habe ich gemerkt. So vehement von falschen Fakten auszugehen lässt doch sehr darauf schliessen, dass Du es übersehen hast. Wenn Du es nicht verstanden hättest, hätten Dich die anderen viel schneller verunsichert Trotzdem, Deine Befürchtung, dass es qualmen könnte beschleicht mich auch - wenn er nämlich doch versucht, 100% Tastgrad zu erreichen

[ranke]

So vehement von falschen Fakten auszugehen lässt doch sehr darauf schliessen, dass Du es übersehen hast. Wenn Du es nicht verstanden hättest, hätten Dich die anderen viel schneller verunsichert

Ja, das ist wohl wahr. Man versucht eben sein bestes zu geben - manchmal ist das aber nicht genug. Und so ein kleiner Elko an einem Versorgungsspannungseingang ist ja auch meist ziemlich unverdächtig, da denkt man nicht gleich an einen Schaltungstrick.

Trotzdem, Deine Befürchtung, dass es qualmen könnte beschleicht mich auch - wenn er nämlich doch versucht, 100% Tastgrad zu erreichen

Da bin ich nicht einmal so sicher. Wenn die Leckströme niedrig sind, kann das schon eine Weile gehen. Schließlich fährt so ein Speiseaufzug nicht ewig in die selbe Richtung.

[shaun]

Darin sehe ich aber gerade die größte Gefahr. Wenn der untere MOSFET im Ruhezustand nicht leitend gehalten wird, verdünnisiert sich die Ladung vom Bootstrap-C nach und nach und beim nächsten Einschalten eines der Brückenzweige dampft der Highside-FET ab. Empfehlung daher: immer etwas choppen und im Ruhezustand die beiden unteren MOSFETs leitend halten.