Das ist doch ein Gewürge mit diesen Transistoren! Da gehört ein LogikPegel N-MOSFET hin, dann wird nichts mehr heiß.
Gruß
Du kannst bis auf 220 Ohm heruntergehen, der Basisstrom wird aber trotzdem nicht reichen. Du kommst nur in den kritischen Bereich beim AVR.
Wenn du den Strom jetzt einmal misst, wirst du feststellen das du die berechneten 800mA gar nicht zusammenbringst, da noch zusätzlich Spannung an den Transistoren abfällt.
Stärkere Transistoren, wie du geschrieben hast, bringen dir nur bei höherem Basisstrom oder größerer Stromverstärkung etwas. Damit kommen nur eine Treiberstufe oder Darlingtontransistoren in Frage.
Hubert
Das ist doch ein Gewürge mit diesen Transistoren! Da gehört ein LogikPegel N-MOSFET hin, dann wird nichts mehr heiß.
Gruß
Hast du den Kuehlkoerper im Einsatz. Wenn ja welche.
Im Schaltzustand verbraet jeder Transitor min. ca. 1Watt. das ist doch recht viel fuer so ein kleines Gehaeuse.
Also gut. Ich muss sagen ich hatte auch schon an MosFETs gedacht, es scheitert allerdings daran, dass ich diese Dinger nich versteh. Ich hab mir zwar die Begriffserklärung in Wikipedia n paar mal durchgelesen, aber viel hab ich trotzdem nicht verstanden. Könnte vlt. einer, wenn er kurz Zeit hat eine kleine Schaltskizze mit einem MosFET machen. Ich glaub dann würd ich das eher verstehen. Ich hätte auch ncoh IRF5035 da. Ob die dafür taugen weiß ich allerdings auch nicht. Danke
gruß, homedom
Deine Verwendung für den FET ist die denkbar einfachste: als Schalter. Entscheidend ist die Spannung, die zwischen Gate und Source anliegt --> Vgs! Diese entscheidet über den Widerstand der Drain-Source-Strecke. In welchem Maße sie das tut, ist im Datenblatt meist als schönes Diagramm dargestellt.
LogicLevelFETs zeichnen sich dadurch aus, dass sie bereits bei 5 V einen niedrigen bis sehr niedrigen DS-Widerstand besitzen. Da Dein Source auf Masse liegt, musst Du nur die Gatespannung berücksichtigen und die kommt aus Deinem µC.
ZB der IRL2203N hat bei Vgs=4,5V einen RDS=0,01Ohm.
Schließe einfach das Gate eines solchen FETs an den IO-Pin und einen Widerstand zur Sicherheit von Gate nach Source, zb 100k. Das sollte funktionieren. Im Falle einer Induktivität als Verbraucher noch eine Diode in Sperrrichtung von Souce nach Drain. Sorry, kann jetzt leider nicht zeichnen.
Gruß
Danke, die Erklärung soll mir reichen. Ich werd mich mal nach FETs umschauen, muss sowieso mal wieder in den elektroladen, da ich mal wieder mit Platinenätzen anfangen will. Was bedeutet "Im Falle einer Induktivität als Verbraucher"? Ich hab auch mal gelesen, dass FETs nich so schnell schalten wie Transistoren, stimmt das? Danke
gruß, homedom
Übrigens, habe kein Datenblatt für Deinen FET gefunden.
Eine Induktivität als Verbraucher ist eine Spule: Motor, Hubmagnet usw.
In gewissem Sinne sind FETs etwas langsamer als Transistoren. Aber das fällt bis einigen Megahertze noch nicht so ins Gewicht. Das Problem ist, dass Du einen Strom im Amperebereich brauchst, um einen FET schnell zu schalten, weil dieser eine Kapazität hat, die erst geladen werden muss. Aber im Bereich von kiloHertz ist das noch nicht tragisch. Natürlich kann Dein µC nicht besonders viel Strom liefern. Da erhöht sich die Verlustleistung sicherlich geringfügig. Aber in jedem Fall wird sie geringer sein, als bei Deiner ersten Variante mit Transistor. Und da Du ja nur mit geringer Frequenz schaltest...
Gruß
Weshalb der Schutzwiderstand am Gate so klein wie möglich sein sollte. Also so wählen, dass der Maximalstrom des AVRs nicht überschritten wird. Das ergibt eine Wert in der Gegend von 250 Ohm, die 500 Ohm tuen es aber auch. (und nicht 100k!)Zitat von Gock
Wie geschrieben, der 100kOhm war von Gate nach Source gemeint.
Vor das Gate kann man auch gerne 120Ohm setzen. Hätte ich noch sagen sollen. Dann käme man bei 5 Volt auf 42mA max. Das geht schon.
Gruß
Sorry, hab ich überlesen. 42mA sind zwar zwei mA mehr als der AVR darf, aber das müsste er abkönnen. Zumal der Strom ja wirklich nur sehr kurzzeitig fließt.Zitat von Gock
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