- 12V Akku mit 280 Ah bauen         
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Thema: H-Brücke mit MOSFETs und Treiber

  1. #11
    Erfahrener Benutzer Roboter-Spezialist
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    LiFePo4 Akku selber bauen - Video
    Bei 1 muss ich passen, bzw. ich weis nicht genau was du meinst. Du musst das Signal auf GND legen, wenn du den FET durchschalten willst.

    2: Ja, das geht auch, ist nur wesentlichlich aufwendiger

  2. #12
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    2. Das sollte kein Problem darstellen, kann ja einfach die "Motorspannung" nehmen. Also an Vdd meine 12V. Geht das?

    1. Bei den "unteren" N Kannel FETs nimmt man ja Lowside-Treiber.
    Bei den "oberen" N Kannal FETs Highside-Treiber weil man die z.B. 12V als GND annimmt. Wenn ich das richtig verstanden habe

    Wenn ich "oben" P Kannal FETs verwende muss ich dann andere Treiber verwenden?

  3. #13
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    Wenn man an der "High side" N Fets nehmen will, braucht man spezielle treiber die einem eine extra Spannung von etwa 12 V über der Ausgnagsspannung zur verfügung stellen. Sowas sollten die IR2110 auch schon drin bzw. im datenblatt vorgesehen haben habe. Das funktioniert da aber nur bei PWM Betrieb. Wenn die Ansteuerung ungünstig ist, und längere Zeit einfach nur an ist, kann es zur Überhiztung der Fets kommen.

    Wenn man an der High side P kanal Fets nimmt, kann man wegen der 12-15 V VErsorgung einen "normalen" lowside Treiber nehmen, der aus der selben Versorgung gespeißt wird. Bei mehr Spannung geht das dann aber bald nicht mehr. Die Ansteuerung der P-Fets ist damit zwar einfacher, aber die P-Fets sind deutlich teurer oder haben mehr Einwiderstand. Gerade bei 10-20 V Spannung sind P Fets aber eine echte alternative, vor allem bei kleinem Strom.

  4. #14
    Benutzer Stammmitglied
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    Wenn jemand so nett wäre mal auf das Datenblatt zu schauen http://www.irf.com/product-info/data...ata/ir2110.pdf , kann ich dann:

    Vdd: 12V
    Hin: PWM
    Sd: GND
    Lin: PWM
    Vss: GND
    Vb: 12V
    Ho: oberer N Kannal Fet
    Vs: Motor ( Source von oberem Fet)
    Vcc: Motor ( Drain von unterem Fet)
    Lo: unterer N Kannal Fet
    Com: GND

    Wenn das nicht funktioniert nehm ich halt P Kannal Fets

  5. #15
    1hdsquad
    Gast
    Zitat Zitat von sky2
    An 1hdsquad: Ich versteh ja das SMD gut ist, aber ich will keine Leiterplatte ätzen. Und wie kann man SMD überhaupt richtig kühlen?
    Die kann man ja nirgends aufschrauben oder so.
    War nicht so ganz ernst gemeint von mir, bleib mal bei THT. Man kann natuerlich auch die SMD-Fets kuehlen, das laeuft dann ueber die Platine, Masseflaechen usw...

    Thread des gesammelten Halbwissens hier?

  6. #16
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    Moin, also ich würde dir zu diesem MF Treiber raten:
    http://www.datasheetcatalog.org/data...irf/ir2111.pdf
    Der hat den Vorteil das es ein Half-Bridge Driver ist was bedeutet das ein Kurzschluss zwischen den beiden Fets nicht passieren kann und du weniger aufwand im Microcontroller hast.
    Der ist nun zwar nicht TTL kompatibel aber einen ähnlichen findest du bestimmt ;P
    Wenn du ein Mosfet brauchst das wirklich genug leistung hat würde ich dir zu diesem hier raten. Ist zwar etwas überdimensioniert aber dann hättest du genug reserve für z.b. einen anderen Motor. "IRFP3703"


    mfg

  7. #17
    1hdsquad
    Gast
    Der Mosfet macht zwar viel Strom, hat aber einen Gate Charge so gross wie der Grand Canyon.
    Als Treiber wuerde ich einen Hip408X nehmen.

  8. #18
    Erfahrener Benutzer Begeisterter Techniker
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    xD Grand Canyon XD
    Guter vergleich aber das kommt im Endeffekt auf die verwendete Frequenz an .

    mfg

  9. #19
    1hdsquad
    Gast
    Lol, was hat die Frequenz mit dem Gate Charge zu tun? 000?

  10. #20
    Erfahrener Benutzer Begeisterter Techniker
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    Also ich meinte damit das es bei einer niedrigen Frequenz von 1kHz oder so in der richtung, nicht ganz so extrem wichtig ist das der MF sofort voll durchschaltet als bei einer hohen Frequenz von 20khz (oder mehr).
    Vll etwas blöd ausgedrückt ^^

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