Labornetzteil Trifolium empfehlenswert?

[PICture]

Hallo!

Der BC547 hat bißchen zu kleine Spannungsfestigkeit und ich würde lieber ein Transistor für höhere Spannungen nehmen, z.B BC 546.

Bei der R23 wird durch die Dioden ein Strom ca. 40V / 8k = 5 mA fliessen. Für ca. 20 mA brauchst Du ca. 2k.

Weil die Eingangspannung nicht stabilisiert ist, muss man mit höherer Spannung ohne Belastung des Netzteils rechnen. Du kannst deswegen für R23 = R1 anfangs 8,2 k probieren und falls nötig korriegieren, oder gleich einen Mittelwert z.B. ca. 4 k nehmen. Am besten für die LEDs, wenn sie immer gleich hell leuchten sollten, wäre eine Konstantstromquelle. Das benötigt aber weitere Bauteile.

Den R23 habe ich fast gleich wie im LM723 (400 Ohm) angenommen, muss also passen.

MfG

[kolisson]

hallo nochmal...

mein letztes posting bezog sich noch auf das 60volt teil..

irgendwie wart ihr ja schon woanders..

also einfach vergessen

gruss

[Naxos]

So nun habe ich fast alles zusammen nur noch eine kleine Frage betreffend Widerstände, es werden ja 4x 9W Widerstände benötigt, bekomme diese jedoch nicht kann ich die durch je 2x 5W Widerstand ersetzen und den 1W Widerstand kann ich den durch 4x einen 0.25W ersetzen natürlich parallel geschaltet.

mlg nax

[PICture]

Hallo!

Natürlich kannst du das machen, wenn der gesamte Widerstand und die gesammte Leistung passen. Die Leistung der Ersatzwiderstände kann natürlich grösser sein. In der Praxis nehme ich immer die doppelte Leistung der ausgerechneter an, damit die Widerstände nicht zu warm werden.

MfG

[Naxos]

to theborg

Wie misst du den soll und ist Strom? Den Soll würde ich an dem Shunt messen und den ist strom an den ausgängen? stimmt das so?

mlg

[cl]

Hallo,

was mir noch nicht klar ist: Man kann ja im Extremfall bei diesem Netzteil mit den MOSFETs 300W verheizen. Warum werden hier keine Symmetrierwiderstände in den Lastzweigen der MOSFETs verwendet?

Die Gate-Spannung ist doch unter U_th, da wir uns im Linearbetrieb und nicht im Schaltbetrieb befinden. Deswegen haben die MOSFETs bei zunehmender Erwärmung eine Stromzunahme bei gleicher Gate-Spannung (solange Ug < Uth),
siehe dazu http://sound.westhost.com/articles/hexfet.htm#51

In dem Diagramm das dort abgebildet ist, sieht man schön, dass bei gleicher Gate-Spannung bei höheren Temperaturen entweder
* ein kleinerer Strom fließt (bei großen Gate-Spannungen)
* oder ein größerer Strom fließt (bei kleinen Gate-Spannungen)

das bedeutet doch im Endeffekt, dass ohne Symmetriewiderstände (Source-Widerstände) sich die MOSFETs unter Umständen selbst zerstören können, da im Linear-Betrieb der am meisten Strom leitende MOSFET schneller warm wird und damit noch mehr Strom übernimmt.

- cl

[Besserwessi]

Das mit der ungleichen Stromverteilung ist wohl wirklich ein Problem. Das einfache parallelschalten der MOSFETS geht wirklich nur bei Schaltanwendungen oder Speziellen FETs für lineare Anwendungen. Da wäre es dann besser Bipolare Transitoren zu nehmen. Die Schaltung ist auch so schon hinsichtlich der Stabiliät gegen Schwingungen nicht offensichtlich gut, sondern eher problematisch wegen der vielen beteiligten Zeitkonstanten. Das sollte man vorher besser noch mal simulieren.


Bei der Schaltung mit dem LM723 wird die zusätzlich angebrachte LED mit dem Transisitr nit funktionieren. Bestenfalls fänge der Transistor gerade an zu leiten, aber die LED kriegt keine Versorgungsspannung. Selbst wenn, wäre die LED verkehrt herum.

Edit:
In der Schaltung mit dem LM723 sind einige Widerstände reichlich überdimensioniert. Die 220 Ohm können auch ein 1/8 Watt sein, der Widerstand kriegt kaum 0,7 V oder 10 mW ab. Ähnliches gilt für den 68 Ohm Widerstand und auch die 9 W Widerstände sind nicht nötig. Bei 2 A durch 0,5 Ohm kommt man auf nur etwa 2 W.

[cl]

Die vielen MOSFETs braucht man ja nur wegen der abzuführenden Verlustleistung. Ob die Verlustleistung in den MOSFETs oder in den Symmetrierwiderständen anfällt ist ja zweitrangig. Vermutlich ist man mit einen 2.2 Ohm Widerstand je MOSFET mit Sicherheit auf der sicheren Seite , dann fallen bei perfekter Aufteilung mit 0.5A je MOSFET etwa 1V an dem Widerstand ab, das müsste dann ja reichen.

- cl

[Besserwessi]

Da der TK bei den MOSFets ähnlich groß ist wie bei den BJTs sollte das reichen. Bei den Normalen Transistoren nimmt man oft sogar deutlich weniger als 0,5 V.
Bei gut 60 V am Eingang kommt es auf das eine Volt ja auch kaum an. Bei weniger Spannung kann es aber schon stören noch 1 V oder so zu verlieren.

[Naxos]

to cl:

habe ich dich richtig verstanden, du bist am diese http://www.trifolium.de/netzteil/kap3_2_7.html bemängeln und verbesserungsvorschläge am anbringen und nicht die von mir beabsichtigte?