Man könnte sich um die Unterscheidung direkte , indirekte halbleiter drücken, wenn man einfach sagt, dass es vom Halbleiter abhängt, was mit der Energie bei der Rekombination passiert. Bei einigen wird die größtenteils direkt in Wärme umgewandelt (z.B. Silizium) bei anderen zum größeren Teil in Licht (ggf. auch IR).

Die typische Spannung von 0,7 V bei einer Silizium Diode, hat so direkt nichts mit dem Bandabstand zu tun. Weil die Spannung aber deutlich niedrieger ist als der Bandabstand ist, kann die Lichtaussendung auch nur die absolute Ausnahme bei der Rekombination sein. Sonst hätte man ein Problem mit der Energieerhaltung.


Zu den Bändern:
Das Bild mit den Elektronenbahenen, ob jetzt kreis oder Elipse ist für eine einzelens Atom. Da hat man dann die Differenz der Bindungsenergien als die Energie die z.B. als Licht abgegeben wird.

Wenn viel Atome zusammenkommen, stören sich die Bahnen von benachbarten Atomen. Dadurch wird aus den vorher scharfen Energien beim einzelen Atom ein Bereich von erlaubten Energien, den man dann Band nennt. Durch die Störungen der Bahnen sind die Elektronen auch nicht mehr einem festen Atom zugeordnet, sondern können sich überhaupt erst bewegen. Durch das zusammenbringen der Atome hat man also den Übergang von einzelnen lokaliseirten Bahnen hin zu vielen ähnlichen nicht mehr lokalisierten Bewegungen zwischen den Atomen.


Das Valenzband entsteht (etwas vereinfacht) aus dem obersten besetzten Energieniveau des des Atom, das Leitungsband aus dem untersten nicht besetzten. Der Sprung vom Leitungs in Valenzband ist also schon so etwas wie ein Überbleibsel vom Sprung im Atom. Durch die Verbreiterung der Zustände zu Bändern ist die Energie aber kleiner.

Die Valenzelektronen sind schon ähnlich mit dem Valenzband, als äußeren besetzten Zustände.