Hallo,
nur mal eine kurze frage fallen mir bei einem Mosfet wenn er voll durchgeschalten ist auch um die 0,7V ab sowie beim bipolaren Transistor.
Ich möchte nähmlich über pwm die helligkeit von meinem lcd display steuern.
mfg franzl
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Hallo,
nur mal eine kurze frage fallen mir bei einem Mosfet wenn er voll durchgeschalten ist auch um die 0,7V ab sowie beim bipolaren Transistor.
Ich möchte nähmlich über pwm die helligkeit von meinem lcd display steuern.
mfg franzl
Hi
Da es sich hier um PN übergänge handelt würde ich eigentlich ja scagen aber ich habe jetzt nichts genaues gefunden was das bestätigen oder vernenen könnte.
Hast du ewt ne kennliene von dem Fet den du verwenden willst???
hallo,
ja es ist der BUZ 104S bei www.pollin.de
danke für die schnelle antwort
mfg franzl
Hallo franzl,
0,7V ist bei 'normalen' Transistoren die Basis-Emitter-Spannung; das gibt es beim FET nicht.
Der bipolare Transistor wird mit (Basis-) Strom gesteuert, der FET mit (Gate-) Spannung.
Vielleicht meinst Du aber auch die Spannung, die an der Collektor-Emitter-Strecke abfällt (Uce).
Auch beim FET fällt bei Stromfluß an der Drain-Source-Strecke eine Spannung ab, bedingt durch den inneren Widerstand zwischen diesen beiden Anschlüssen. Dieser Widerstand ist im Datenblatt unter Rdson (Widerstand zwischen Drain und Source im eingeschalteten Zustand) angegeben. Dieser Widerstand wird mit zunehmender Gate-Spannung immer kleiner, bis bei einer bestimmten Gate-Spannung der kleinstmögliche Widerstand erreicht ist (siehe Datenblatt). Er liegt bei Leistungs-FET's im Milli-Ohm-Bereich.
hallo,
danke kalledom das hat mir sehr geholfen.
mfg franzl