MOSFET Schaltung

Hallo Zusammen

Es ist schon spät und ich weis nicht mehr weiter.
Ich simuliere hier eine grundlegende MOSFET Schaltung und sie will eifach nicht.

Ich erzeuge mit einer Vpuls Quelle ein 5V rechteck Signal, gehe damit auf das Gate des IRF540.

Kann mir jemand sagen wieso habe dass ich keine 10V über dem 8Ohm Widerstand habe?

Als Attachment hänge ich das Schema und das Ergebnis an.

Danke für Eure Hilfe

Hi, du hast die Last zwischen Masse und Source.
Der MOSFET (N-Kanal) schaltet, wenn die Gatespannung 5-10V über der Sourcespannung ist.
Damit könne an deinem Widerstand nur ein paar V abfallen, da der Rest Gate_Source-Spannung ist, und vom MOSFET verbraten wird.

Abhilfe:

Den Widerstand zwischen + und Drain schalten.
Oder einen P-Kanal-Fet nehmen.

Gruß Sigo

Danke Sigo, jetzt ist es mir auch um 23Uhr noch klar geworden ;-)

Wird die Spannung die über Gate-Source abfällt im Datenblatt "Gate Threshold Voltage" genannt?

Eigentlich sollte das Ganze einmal eine H-Brücke werden, dazu brauche ich in diesem Fall noch 2 P-Kanal Fets. Welche währen da sinnvoll, ich benötige etwa um die 30A Id?

Alle Tage wieder... Dieses H-Brücken-Thema wird hier mindestens einmal die Woche diskutiert. P-Kanal-Typen bringen keinen so großen Vorteil wie man immer denkt, da man irgendwie eine Ansteuerung mit Totzeit hinbasteln muss, daher auch hier mein Rat: nimm 4 N-Kanal-Typen und geeignete Brückentreiber-ICs. IR2183 wäre so ein Kandidat (Halbbrückentreiber).
Die Threshold-Spannung ist die Spannung, ab der ein Stromfluss durch den Kanal beginnt, liegt auch in der Größenordnung der Spannung, die man in Sourcefolgerschaltung misst, allerdings schwankt letztere in Abhängigkeit von Vds und Id.

Hallo zusammen !

ich bastele gerade an einem Motortreiber für einen Tauchroboter.
und ich würde gerne eine reine n-kanal h-bridge benutzen mit dem IR2183 als treiber (wie auch vorgeschlagen).
allerdings kann ich keinen schaltplan finden, der 4 N-kanal MosFETs benutzt..
und selber habe ich auch keine vorstellung wie sowas aussehen könnte..
gerade weil bei der h-bridge ja eigentlcih zwei MosFETs vor die last kommen und somit P-Kanal MosFETs sein müssten oder ?

für eine kleine erläuterung wäre ich dankbar, da mir shauns vorschlag genau der zu sein scheint, denn ich versuche umzusetzen..
und wenn ich mir im datenblatt zum IR2183 die schaltungen ansehe, bekomme ich auch nicht so wirklich den durchblick..
soll ich mir einfach zweimal die standard schaltung bauen und dann die zweite gleichzeitig verdreht gepolt anschließen ? ich hoffe man versteht, was ich meine ;-)
und dann eine frage noch: was bedeutet halbbrückentreiber ? und was heißt in dem zusammenhang High-side und low-side ?
hab zwar etwas gesucht bin aber nicht fündig geworden..
für eine kurze antwort wäre ich sehr dankbar..

MfG
ngb

High side ist der Schalter an der positiven Versorgungsspannung.
Low side ist der Schalter an Masse.
Halbbrücke bedeutet, daß man 2 davon braucht, um eine Vollbrücke zu realisieren, die dann beide Motorrichtungen schalten kann.
Sowas findet man alles mit googlen!!!