MosFet Vgs wird bei Schaltvorgang kurz überschritten

Hallöchen

Ich plane in meiner Schaltung einen N-Kanal MosFet als HighSide-Switch zu verwenden.

Zur Ansteuerung im eingeschaltetem Zustand habe ich eine um 15V höhere Spannung zur Verfügung.

Im ausgeschaltetem Zustand ist die Spannung Vgs um die 8V, also OK
Im ausgeschaltetem Zustand ist die Spannung Vgs natürlich 0V, also auch OK

Im Schaltmoment ( Fet wird angesteuert, hat aber noch nicht durchgeschaltet ) wird es vorkommen, dass die Spannung Vgs über 20V liegt und damit um 4V über der laut Datenblatt maximalen Vgs.

Die Schaltfrequenz ist ein Schaltvorgang alle paar Minuten !
( Also kein PWM )

Kann dieses Verhalten zu Problemen ( Zerstörung des FET ) führen ?

Danke für Eure Hilfe.

mfg
Mandi

Ich habe FETs eigentlich immer durch zu hohe Vgs gegrillt, eigentlich nie durch zu hohe Ströme. Da die Gates sehr hochohmig sind, führen Störungen leicht zu hohen Spannungen, wenn dann die Spannung sowieso schon hoch ist, ists passiert.

Schau mal bei Infineon unter PROFET. Die haben fertige High-Side-Schalter für solche Anwendungen. Oder denk an P-Channel FETs. Die haben zwar ein paar mOhm mehr RDSon und kosten möglicherweise einige Cent mehr, können einem das Leben aber leichter machen.

MfG Klebwax

Ich würde die VGS einfach mit einer Z-Diode begrenzen, Die Z-Dioden sollten eigentlich schnell genug sein um die Spannung zu begrenzen.
Woher kommt denn die Schaltspannung?

Gruß

Neutro