Referenzspannung mit LM336-2,5

Hi zusammen,

ich habe gerade mal ein bischen durch das Datenblatt des LM336-2,5 geschmöckert, da ich evtl. mit ihm eine Referenzspannung von 2,5V erzeugen will.

Natürlich habe ich mir auch die "Typical Applications" angeschaut. Dabei bin ich über folgendes gestolpert:

Anhang 26725

Jetzt meine Frage, was hat es mit der Schaltung "2.5V Reference with Minimum Temperature Coefficient" auf sich?
Aus dem Text weiter unten im Datenblatt konnte ich herauslesen, das der Poti zum abgleichen der Spannung ist, aber mit diesem "Temperature Coefficient" komme ich noch nicht so ganz klar.

Ich hoffe Ihr könnt mich aufklären?

Viele Grüße

Hallo,

Naja, alle Bauteile ändern ihre Werte mit der Temperatur.

http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm136-2.5-n.pdf

Die Dinger haben auch nicht genau 2.500V sondern irgend etwas zwischen 2.390V und 2.590V.

Aus Figure 13 kann man dann ersehen, dass Teile mit 2.490B @25°C die kleinste Veränderung mit der Temperatur haben.

Wie genau die beiden Dioden noch genau mithelfen, weiss wohl nur der Entwickler des ICs.

MfG Peter(TOO)

Hallo!

@ demmy

Das kann man praktisch nur anhand vom vereinfachten Schaltplan des IC-Inneren machen. Dort sind aber im Datenblatt (DB): http://pdf.datasheetcatalog.com/data...onics/2166.pdf auf Seite 2/9 die Halbleiter nicht gekennzeichnet, was es praktisch unmöglich macht.

Wenn du alle zusammenhängende Bestandteile eindeutig beschriftest, könnte ich versuchen die thermische Kompensation der Emmiter-Basis Spannungen von internen Transistoren und externen Dioden vereinfacht zu erklären, jedoch leider ohne Erfolgsgarantie, weil Analogschaltungen ziemlich kompliziert sind. ;)

Hallo PICture,

Hier gibt's die (vereinfachte) Innenschaltung:
http://www.fairchildsemi.com/ds/LM/LM336Z25.pdf

Die beiden externen Dioden scheinen von Q17 und Q18 zu kommen, diese beiden Transistoren werden als Dioden verwendet (ist ein alter Trick der Halbleiterhersteller, der Transistor hat einen wesentlich kleineren Innenwiderstand als eine Diode, bzw. benötigt weniger Halbleiterfläche).

Mit den externen Dioden müsste der Gleichlauf des Spannungsteilers des Potis und dem aus R7, R8 und R9 besser sein, als ohne die Dioden.

Aber ich bin jetzt zu faul dies auch noch genau zu rechnen, aber die Spannung an R7, R8 und R9 ändert sich doch mit rund -5mV/K.

MfG Peter(TOO)

Hallo Peter(TOO),

du hast es ausreichend erklärt, finde ich ! :D

Ich bin noch fauler bzw. bequemer als du, weil es sowieso nix ändert, wenn man sogar noch lange analisiert und rechnet.

Übrigens, die ca. - 5 mV / K könnten durch seriell geschaltete BE-Strecken von Q14 und Q15 verursacht werden.

Vielen Dank,
das war sehr aufschlussreich.

hi,
Referenzelemente werden oft durch Reihe einer Dioden-Nachbildung mit eher negativen Temperatur-Koeffizienten und einem "Lawinen-Effekt"-Element
(ähnlich Z-Diode) mit mehr positivem TK gebildet. Am herausgeführten "Mittelpunkt" kann man dann durch leichte Wichtung beider Einflüsse den TK minimieren,
erfordert allerdings viel Geduld und ein gutes DVM.
mfg
Achim