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So sieht meine Schaltung im Moment aus.
Das Problem ist, dass Q1 dauerhaft sperrt und ich somit wieder nur eine möglcihe Drehrichtung habe.
Ich weiß das die Fets deisl irgendwie verdreht gezeichnet sind, ich weiß aber nicht wie man die Bauelemente in Eagle "anders drehen" kann.
mfg
Lync
So bin jetzt endlich wieder einnmal dazu gekommen weiter zu bauen.
Die Ansteuerung der P Fets funktioniert jetzt auch.
Hatte den Wiederstand vom Emitter falsch dimensioniert ](*,).
Wie sollte ich die Ansteuerung der N fets noch verbessern?
Diese werden ja per PWM gesteuert, also ist ein Transistor in Emitterschaltung wohl zu langsam.
mfg
Lync
Hallo
würde diese Treiberstufe so funktionieren? Habe bis jetzt nur welche gesehen, die von +U zum Gate einen Widerstand und den Transistor vom Gate zu Masse haben. Wenn diese Schaltung funktioniert, wie groß müsste der Widerstand zur Basis des Transistors sein? Brauche ich eigentlich eine Treiberstufe, wenn ich mit einem NE555 den Fet ansteuere?
Herr Fachlehrer Bayerl?
Grüße aus Kapfenberg
Thomas
:D
Kenne ich war mein Klassenvorstand
@021aet04:
Die gezeigte Schaltung ist muks: ohne Widerstand gegen GND oder Sorce kann der Strom vom Gate nicht richtung GND fließen. Ob die Schaltung dann brauchbar ist, hängt immer noch davon ab wofür. Zum Thema paßt sie jedenfalls noch nicht.
Der Ausgang vom NE555 ist dagegen schon recht gut geeigent um FETs anzusteuern. Die Amplitude kann stimmen und ganz schwach ist der auch nicht.
zurück zur Brücke:
Bei den N Fets kommt es auf den Typ an. Kleine logic LEvel Fets wie IRLZ24 und eventuell auch noch IRLZ34 kann man direkt vom µC ansteuern. Für größere wäre ein Treiber mit mehr Strom Sinnvoll. Ein Transistor in Emitterschaltung ist da eher schlechter als ein Pin vom µC. Bei Logis Leven Fets wären 2 Transistoren als Emitterfolger möglich, auch wenn man noch mal 0,6 V an Spannung verliert. Sonst ein Treiber für mehr Spannung (ca. 10-12 V) und eventuell mehr Strom. Das ginge auch mit diskreten Transistoren, aber halt nicht nur mit einem.
Danke für die Antwort, dann werde ich den Ausgang des NE555 direkt an den FET anschließen, soweit ich bis jetzt gelesen habe sollte man einen Widerstand von ca 200Ohm zwischen Ausgang und Gate schließen. Stimmt das?
Achso, ich dachte du bist noch Schüler bei uns. Aber da an deiner Nummer zu erkennen ist, dass du schon 2002 an die Schule gekommen bist müsstest du jetzt schon länger draußen sein. ;)Zitat:
Kenne ich war mein Klassenvorstand
Grüße
Thomas
:)
Wie groß der Widerstand vor dem gate sein Sollte hängt vom FET ab. 200 Ohm sind schon relativ viel, also eher was für einen kleinen FET, oder wenn schonend langsam geschaltet werden soll. Beim Ne555 sind Ströme bis 200 mA möglich das wären bei 15 V Versorgung 75 Ohm als untere Grenze, wobei kurzzeitig wohl auch mehr als 200 mA drin sein sollten.
Stimmt Abschlussprüfung habe ich 2007 gemacht, danach BH und jetzt Pengg Kabelwerk. Werde demnächst BAY besuchen