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aah - das wusste ich nicht, ob + oder -9V einen Unterschied machen, ich dachte, der Transistor hält generell keine 9V BE aus, egal welches Vorzeichen ;)
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Die Emitter gehen aber ja direkt an GND, d.h. also :
Dioden von Emitter=GND zurück an die Basis, eben antiparallel/sperrend? Das bringt was? :confused:
Hallo,
Die Basis-Emitter-Strecke ist eine normal Diode. Als Vorwärtsspannung können da nur maximal 0.6-0.7V auftreten, andernfalls brennt sie durch.Zitat:
Zitat von HaWe
Der Bipolar-Transistor ist ein Stromverstärker und muss deshalb immer durch einen Strom angesteuert werden (Basis-Widerstand).
In Sperrrichtung verträgt diese Diode eben nur 5-6V.
Eine antiparallel geschaltete Si-Diode begrenzt dann die Basisspannung auf etwa -0.7V.
Eine Z-Diode ist eine speziell gezüchtete Diode. Jede Diode fängt beim Überschreiten der Sperrspannung irgendwann an zu leiten (Avalanche-Effekt). Bei Z-Dioden wird diese Spannung extra festgelegt. Bei kleinen Spannungen ist der Zener-Effekt wirksam.
Der Avalanche-Effekt hat einen positiven Temperaturkoeffizienten, der Zener-Effekt einen negativen. So zwischen 5V und 6V heben sich die beiden Temperaturkoeffizienten praktisch auf.
Das mit den Vorzeichen ist halt so eine Sache.
Bei NPN und PNP sind die Vorzeichen vertauscht.
Dann kommt es halt auch darauf an, welchen Begriff man verwendet.
Bei "Vorwärtsspannung" ist die Polarität durch die Diode gegeben und man kann diese Vorzeichenlos angeben.
Genau so ist es auch mit der "Sperrspannung" die brauch auch kein Vorzeichen.
Die "Basisspannung" benötigt dann ein Vorzeichen um eindeutig zu sein.
Das Ganze muss man als Vektor-Rechnung betrachten. Eigentlich ist es egal wie rum man den Pfeil zeichnet, man muss nur das Vorzeichen richtig verwenden.
Kennt man auch von "Beschleunigung", bei positiven Werten wird man schneller, bei negativen langsamer.
Umgekehrt ist es bei der "Verzögerung", da bremsen positive Werte und negative beschleunigen das System :-)
Für Berechnungen ist es egal welche Bezeichnung man verwendet, da muss dann "nur" das Vorzeichen stimmen.
MfG Peter(TOO)
danke, das ist jetzt schon sehr viel Info, die ich erstmal sickern lassen muss.
Nochmal kurz daher zur Schaltung:
damit sie mir mit -9V nicht den Transistor zerstört, was wohl zwischendurch auftreten kann, soll ich also eine Diode von GND verkehrt herum an seine Basis legen, und dann werden es verträgliche - 5 - -6V ? Und dann passt alles?
Zitat:
Eine antiparallel eingesetzte Diode zur Basis-Emitter-Strecke löste dann das Problem.
Bild hier
Richtig, Anode kommt an Emitter (Masse) und die Kathode an die Basis.Zitat:
Zitat von HaWe
Nein, es werden dann -0.7V, was aber dem Transistor auch bekömmlich ist! :-P
Also die Spannung an der Basis bewegt sich dann nur zwischen etwa +0.7V und -0.7V.
Noch etwas zur Halbleiterphysik:
Wenn die Raumladungszone angenommene 1µm beträgt, muss diese, mit 5V an der Basis, eine Isolationsfestigkeit von 5kV/mm haben.
Durch die hohe Feldstärke kommt es zu Ionenwanderungen und die Dotierungs-Atome verlagern sich im Kristall, wodurch dann, vor allem, die Verstärkung des Transistors abnimmt.
Das moderne CMOS Prozessoren, im Kern, nur mit Spannungen um 1 V arbeiten, hat vor allem mit der Isolationsfestigkeit zu tun. Die Gate-Isolation besteht aus Siliziumdioxyd ein hervorragender Isolator mit einer Isolationsfestigkeit von 400-1'000kV/mm, aber bei Dicken im Nanometer-Bereich bleibt da nicht mehr viel übrig...
MfG Peter(TOO)
aaaa-haaaa!
DAS ist jetzt ein ganz neuer Gesichtspunkt, danke! 8)