...das hat nichts mit dem geannten Problem zu tun, denn die Gatespannungen sind ja nicht das Übel. Mehr Gatespannung
bedeutet nur, mehr ID Strom, aber nicht, daß der FET seinen Dienst quitiert, weil weniger Gatespannung vorhanden ist.

* IRF1010N ->ID nach dem Gate-to Source Diagramm Fig.3:
- Gate= 6,8 V DC ---> IDrain= 30 A
- Gate= 5 V DC ---> IDrain= 5,5 A
bei Tj= 25 °C

Wenn Du mal das Diagramm des IRF 1104 ansiehst, dann sind da ganz
andere Ströme möglich:

* IRF1104 ->ID nach dem Gate-to Source Diagramm Fig.3:
- Gate= 6,8 V DC ---> IDrain>= 100 A
- Gate= 5 V DC ---> IDrain= 11,5 A
bei Tj= 25 °C

...das ist ja alles klar, und braucht auch nicht länger diskutiert zu werden.
Wieso soll ein FET mit geringerer Gatespannung defekt werden ?

Dies war nicht meine Frage !

Gruß Jon