Hallo
Die Leistungsfets und IGBT werden alle aus vielen parallel geschalteten Transistoren gebildet.großen IGBTs selten aus einem Chip bestehen
Für die Parallelschaltung sollte man jedem FET einen eigenen Gatewiderstand spendieren, um Schwingneigung zu unterdrücken.
Mit freundlichen Grüßen
Benno
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