Für den Wirkungsgrad:

1) Hast du low-ESR-Kondensatoren?

2) Die Diode: ultra fast recovery shottky

3) Du willst den FET (Q8) *schnell* schalten, also:
3a) fliegt der Gate-Widerstand R1 komplett raus
3b) als Gate LOW-Treiber sollte ein Darlington sein, zB 2*BC557
3c) die Gate-Treiber bekommen ihren eigenen 100nF Abblock-Kondensator

4) Wie du selber richtig bemerkt hast, ist die Induktivität wesentlich.
Der obige Link nach Uni Darmstadt ist gut zum Einstieg.

Speicherdrosseln bekommen ist nicht leicht. Die x Windungen um einen Ringkern wickeln ist was für Sträflinge, also sind E oder EI-Kerne angesagt o.ä. Ich beziehe meine kerne von Bürklin (über die Firma, geht leider nicht an privat). Wie auch immer dort könntest du zumindest Datenblätter von Kernen bekommen, ogni42 hat ja schon was gerechnet.

Was auf jedenfall in den Kern passen muss ist die Energie, welche von der größe des Luftspalts abhängt und für die gilt:

Bild hier  

Die rechte Seite ist bei E-Kernen nur von der Kerngeometrie abhängig, während µe zusätzlich von der Größe des Luftspalts abhängt. Diese Daten findest du im Datenblatt zu eine Kern.

Was du vom Kern wissen musst sind
L und W_max. Über W_max hast du auch den Maximalstrom via
W = 1/2*L*I²

Falls die für einen Kern diese wichtigen Parameter nicht zugänglich sind (L idR Über Al), dann vergiss ihn.

16€ ist *viel* für einen Kern! Kannst du die Frequenz des Schaltreglers erhöhen? Dadurch brauchst du keine so große Drossel.

Mit folgendem StepUp bekomme ich einen Wirkungsgrad von über 80% und du sieht den FET-Treiber (ist allerdings 9V --> 180V und kleinerem Strom):

http://freenet-homepage.de/gjl/pub/n....html#netzteil