Die 20 V sind wohl der maximalwert für die Gate-Source Spannung. Damit der MOSFET durchschaltet braucht man je nach Typ etwa 4 - 8 V. Bei einem N-MOSFET an der high side also etwa 4-8 V mehr als die normale Versorgung.
Dabei muß man dann auch noch aufpassen, das es auch zwischendurch nicht mehr als die etwa 20 V zwischen Gate und Source werden.

Wenn man das mit nur N-MOSFETs machen will, gibt es dafür extra Gate Treiber ICs (z.B. 2110). Bei den meisten dieser Schaltungen hat man aber eine Begrenzung im Tastverhältnis - dauernd den High schalter an geht nicht. Da bräuche man noch eine extra Ladungspumpe dazu.

Mit eine P-MOSFET wird die Schaltung einfacher.