Kühlkörperauswahl so richtig?

[Manf]

Ich bin mal wieder etwas spät.
Der Kühlkörper im Bild hat ja etwas weniger als die berechneten 15K/W er sieht etwa aus wie dieser hier mit 6,2K/W:

http://www.pollin.de/shop/dt/NzE5OTY...50_8_STIS.html
http://www.pollin.de/shop/downloads/D430082D.PDF

So einen würde ich wieder nehmen. Ich traue dem RDS = 0,35Ohm nicht so ganz wenn er als universeller Wert übernommen wurde.
In Bild 1 und 2 des Transistor Datenblatts sieht man was bei 10A auftritt.

In Bild 1 bei 25°C und 12V Ansteuerung hat man VDS=0,3V also 3W. Bei 4V Ansteuerung sind es 0,5V also 5W.
In Bild 2 bei 175°C und 12V Ansteuerung hat man VDS=0,6V also 6W. Bei 4V Ansteuerung sind es 1V also 10W.
175°C sollten schon deshalb vermieden werden, man ist bei kleiner Gatespannung aber auch schon mal schnell bei etwas mehr Leistung.

Das Hauptargument für mich ist der Vergleich der Kühlkörper der bei 15K/W etwas klein für den Zweck aussieht.
Du kannst ja mal Bilder mit Kühlkörpern und Wärmewiderstandsdaten bei Conrad oder Pollin durchblättern, häufig hat man ja dann noch so einen als Ausbau herumliegen.


Wo ich gerade dabei war und es selbst wissen wollte:
Hier ist auch der Übergang case to haetsink (qcs) angegeben:
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1012.pdf
1 K/W trocken und 0,2 K/W mit Paste, hier also kaum von Bedeutung.

[Searcher]

Vielen Dank Manf,

In Bild 1 und 2 des Transistor Datenblatts sieht man was bei 10A auftritt...

@Manf: Da hat sich in Deinem Beitrag ein C&P Fehler eingeschlichen? In Bild 2 bei 175°C, 4V Ansteuerung sind es 1V also 10W.

Die Diagramme habe ich bisher auch nicht so richtig zu deuten gewußt. Die FETs werden mit 4 bis 5 Volt vom µC angesteuert (µC hat einen Festspannungsregler mit 5V). Muß also von den vorher gerechneten 3,3 W nochmal anständig nach oben korrigieren.

Der Kühlkörper im Bild hat ja etwas weniger als die berechneten 15K/W er sieht etwa aus wie dieser hier mit 6,2K/W

Gutes Auge! und gleich noch Bezugsquelle. Hab meinen nachgemessen, müßte der mit 7K/W sein und hab ihn irgendwo ausgebaut.

Gruß
Searcher

[Jakob L.]

Zu der Berechnung: Du verwendest den RDS_ON bei einer Spannung von 10V zwischen Gate und Source. Falls du den Mosfet mit 5V (z.B. mit einem Widerstand an einem µC-IO-Pin) ansteuerst, musst du mit entsprechend höheren Werten rechnen (am besten zur Sicherheit mit der Angabe für 4,0V, also 60 mOhm). Ansonsten ist die Berechnung prinzipiell richtig und durch die Begrenzung auf 100 Grad hat man noch etwas Spielraum. Mit einem besseren Mosfet (z.B. IRL3803) könnte man jedoch auch ganz auf einen Kühlkörper verzichten (Verlustleistung max 0.9W => Temperaturerhöhung um ca. 55 Grad gegenüber Umgebung).

http://www.irf.com/product-info/data...ta/irl3803.pdf

[Searcher]

Mit einem besseren Mosfet (z.B. IRL3803) könnte man jedoch auch ganz auf einen Kühlkörper verzichten

@Jakob L. Vielen Dank. Da ich sowieso eine Bestellung aufgeben muß könnte ich mir den höheren Preis des IRL3803 durch die nicht gebrauchten Kühlkörper einsparen. (Ein paar kleinere Kühlkörper hab ich zur Not noch hier rumliegen) Spielt zwar nicht sooo die Rolle, aber man fängt doch an zu vergleichen. Vor allem die Platzersparnis wär ein Grund.

Werd mal die Autobatterie aufladen , Last auf den Aufbau geben, noch ein bißchen mit Gehäuse und Platzierung der FETs wg Wärmeabfuhr etc. experimentieren. Ist das erste heiße Ding, das ich selbst baue.

Insgesamt hat sich der thread durch die vielen guten Beiträge sehr für mich gelohnt.

Vielen Dank nochmal an alle.
Gruß
Searcher