Danke, super informative Antworten. =)
Ich dachte allerdings das auch bei Leistungs-FETs der Umladestrom im pA Bereich liegen würde, da der rds doch durch die negativ vorgespannte Ugs gesteuert wird, also nur das E Feld. Der Widerstand Rb in der Standard Sourceschaltung (sorry, habe grade keinen Link, aber ich denke die kennst du eh) ist doch nur vorhanden um das negative Potential an das Gate zu liefern und um evtl eingespeiste Wechselspannungen nicht kurz zu schließen. Daher dachte ich das auch hier der Strom zu vernachlässigen wäre, weil Rb doch im MOhm Bereich liegt.
Habe ich da was nicht bedacht?