Der Verpolungsschutz mit MOSFET ist schon nicht schlecht, und hat eher weniger Spannungsverlust (und damit Verlustwärme) als mit Shottkydiode - nur geht halt ein N-MOSFET nur an der negativen Seite und so im Plan im Datenblatt auf der neg. Seite (zwischen GND und dem IC) ist das halt nur eine halbe Lösung - mit Diode wird es da auch nicht besser.

Die Filterung mit R23 C4 ist schon gut so. Es könnte eventuell aber hilfreich sein noch zusätzlich eine Filterung vor dem OP oder in der Verstärkerstufe zu haben. In der Stufe wäre es mit Kondensatoren parallel zu R7 und R8 (sollten schon beide sein wenn die Gleichtaktunterdrückung voll erhalten werden soll). Davor wären es möglich mit Aufteilen von R3 und R5 und dann zwischen den Widerständen oder jeweils nach GND.